Datasheets - 3

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41. LTC7878AUH#PBF — Datasheet Analog Devices
    DC / DC开关控制器和稳压器 Analog Devices LTC7878 LTC7878AUH#PBF
    70V可并联4开关升降压控制器，带电感DCR电流检测 LTC7878 是一款高性能升降压开关稳压器控制器，其输入电压可在高于、低于或等于输出电压的范围内工作。该稳压器采用恒频峰值电流模式架构，可实现高达 600kHz 的锁相开关频率，同时可编程的输入/输出电流环路能够精确调节平均输入/输出电流，从而支持电池充电应用。LTC7878 具有 5V 至 70V 的宽输入/输出电压范围，且工作区域之间过渡平滑、噪声低，是工业和电信系统的理想之选。 LTC7878 具有强制连续模式 ...
42. SG3525ADWR2G — Datasheet ON Semiconductor
    DC / DC开关控制器和稳压器 ON Semiconductor SG3525A SG3525ADWR2G
    PWM控制器 SG3525A PWM 控制器在控制各种类型的开关电源时，可提供更高的性能并减少外部元件数量。片上 +5.1V 基准电压经微调至 +/-1%，误差放大器的输入共模电压范围包含基准电压，因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入允许多个单元进行从属控制，或将单个单元与外部系统时钟同步。通过在 CT 和放电引脚之间连接一个电阻，即可对死区时间进行编程，实现宽范围的死区时间。该器件还具有内置软启动电路，仅需一个外部定时电容。关断引脚控制软启动电路和输出级，可通过脉冲关断的 PWM ...

43. SBRFP8A60P5Q-13 — Datasheet Diodes
    二极管-单整流器 Diodes SBRFP8A60P5Q SBRFP8A60P5Q-13
    

    8A 场镀 SBR 场镀超势垒整流器，采用 PowerDI-5 封装 这款场镀超势垒整流二极管 (SBR FP) 非常适合需要超低阻断模式的应用，从而降低工作温度并提高系统可靠性。采用坚固耐用的行业标准 PowerDI 5 封装。
44. SBRFP3M60SAFQ-13 — Datasheet Diodes
    二极管-单整流器 Diodes SBRFP3M60SAFQ SBRFP3M60SAFQ-13
    

    SMAF封装的3A场镀SBR场镀超势垒整流器 这款场镀超势垒整流二极管 (SBR FP) 非常适合需要超低阻断模式的应用，从而降低工作温度并提高系统可靠性。采用坚固耐用的行业标准 SMAF 封装。
45. SBRFP2M60SAFQ-13 — Datasheet Diodes
    二极管-单整流器 Diodes SBRFP2M60SAFQ SBRFP2M60SAFQ-13
    

    2A场镀SBR场镀超势垒整流器，SMAF封装 这款场镀超势垒整流二极管 (SBR FP) 非常适合需要超低阻断模式的应用，从而降低工作温度并提高系统可靠性。采用坚固耐用的行业标准 SMAF 封装。
46. SBRFP2M60P1Q-7 — Datasheet Diodes
    二极管-单整流器 Diodes SBRFP2M60P1Q SBRFP2M60P1Q-7
    

    2A 场镀 SBR 场镀超势垒整流器，采用 PowerDI123 封装 这款超强势垒整流器 (SBR) 二极管非常适合需要超低阻断模式的应用，从而降低工作温度并提高系统可靠性。它采用紧凑高效的 PowerDI 123 封装。应用领域包括：极性保护二极管、DC/DC 转换器、AC/DC 适配器、反激二极管和循环二极管。
47. RA-1.5W-K — Datasheet Fujitsu
    通用继电器 Fujitsu RA RA-1.5W-K
    

    微型继电器 2 极 - 1 至 2 A 用于信号切换
48. JX4S0040R065M — Datasheet JX Semiconductor
    单FET、MOSFET JX Semiconductor JX4S0040R065M
    

    采用 TO247-4 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
49. JX3S0040065M — Datasheet JX Semiconductor
    单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0040065M
    

    采用 TO247-3 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
50. JX0320R065MT3 — Datasheet JX Semiconductor
    单FET、MOSFET JX Semiconductor JX0320R065MT3
    

    采用 TO247-3 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
51. CLF09H4LS800PU — Datasheet Ampleon
    单FET、MOSFET Ampleon CLF09H4LS800P CLF09H4LS800PU
    

    800W 内部预匹配 GaN HEMT，SOT-1214B 封装 CLF09H4LS800P 是一款 800 W 内部预匹配的射频 GaN HEMT 功率晶体管，可在 902 MHz 至 928 MHz 的频率范围内使用。 范围 价值 制造商 安普隆 类型 射频氮化镓高电子迁移率晶体管，内部预匹配 技术 氮化镓/碳化硅 工作频率 902–928 MHz 输出功率 800瓦 供电电压 50伏 排水效率 高达 81.8% CW 功率增益 在 928 MHz 频率下最高可达 17.4 dB 包裹 ...
52. TB67S531FTG(O,EL) — Datasheet Toshiba
    马达/运动/点火控制器和驱动器 Toshiba TB67S531FTG TB67S531FTG(O,EL)
    

    采用 32-VQFN (5x5) 封装的 BiCD 恒流两相双极步进电机驱动器 IC
53. MBR30150CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR30150CT
    

    30A，150V，汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
54. MBR30100CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR30100CT
    

    30A、100V、汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
55. MBR3090CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR3090CT
    

    30A、90V，汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
56. MBR3050CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR3050CT
    

    30A、50V 汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
57. MBR3045CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR3045CT
    

    30A、45V，汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
58. MBR3035CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR3035CT
    

    30A、35V，汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
59. MBR3060CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR3060CT
    

    30A、60V 汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
60. JX3S0040090M — Datasheet JX Semiconductor
    单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0040090M
    

    900V N沟道SiC MOSFET，采用TO247-3封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。