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采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 表面贴装肖特基整流器 封装：DO-214AC（SMA） 特征： 薄型封装 非常适合自动放置 保护环用于过压保护 低功耗、高效率 高正向浪涌能力 符合 MSL 1 级、J-STD-020、LF 最大峰值 260°C 带有后缀“Q”的零件编号表示符合 AEC-Q101 认证
- 表面贴装肖特基整流器 封装：DO-214AC（SMA） 特征： 薄型封装 非常适合自动放置 保护环用于过压保护 低功耗、高效率 高正向浪涌能力 符合 MSL 1 级、J-STD-020、LF 最大峰值 260°C 带有后缀“Q”的零件编号表示符合 AEC-Q101 认证
- 表面贴装肖特基整流器 封装：DO-214AC（SMA） 特征： 薄型封装 非常适合自动放置 保护环用于过压保护 低功耗、高效率 高正向浪涌能力 符合 MSL 1 级、J-STD-020、LF 最大峰值 260°C 带有后缀“Q”的零件编号表示符合 AEC-Q101 认证
- 双N沟道增强模式功率MOSFET 先进的功率 MOSFET 采用先进的加工技术，实现低导通电阻、极其高效且经济高效的设备，最适合用于锂离子电池充电和放电开关。 TSSOP8 封装普遍用于所有商业工业应用。 特征： • 低导通电阻 • RDS(ON) = 27 mΩ 最大值。（VGS = 4.5V，ID = 6A） • RDS(ON) = 35 mΩ 最大值。（VGS = 2.5V，ID = 5A） • 共漏型
- 单节锂离子/聚合物电池保护IC FS312F-G 锂离子/聚合物可充电单节电池保护 IC 可对异常电池活动进行高精度检测并设置相应的延迟时间，从而防止过充、过放和过流事件。 当 FS312F-G 检测到电池电压过高并持续超过一定时间时，它会启动安全保护功能，并关闭外部 FET-M2，以防止电池过度充电。当电池电压低于特定电压并持续超过一定时间时，FS312F-G 会检测到过放电情况，并关闭外部 ...
适用于单节锂离子和锂聚合物电池的完整恒流/恒压线性充电器 ...- 1A 独立线性锂离子电池充电器 TP4056 是一款完整的恒流/恒压线性充电器，适用于单节锂离子电池。其 ESOP8 封装和极少的外部元件需求使其成为便携式设备的理想选择。它符合 USB 电源规范，并且由于其内部 MOSFET 架构，无需外部检测电阻或阻流二极管。热反馈调节电流以管理芯片温度。当电流降至设定值的 1/10 时，充电器将自动终止充电。功能包括自动再充电、充电状态指示和欠压锁定。
- 采用 SOT-583 封装的 3.8V 至 30V、3A、200kHz 至 2.2MHz 低 IQ 同步降压转换器 TPS6293x 是一款高效、易于使用的同步降压转换器，具有 3.8 V 至 30 V 的宽输入电压范围，支持高达 2A（TPS62932）和 3A（TPS62933 和 TPS62933x）的连续输出电流和 0.8 V 至 22 V 的输出电压。 该器件采用固定频率峰值电流控制模式，可实现快速瞬态响应以及良好的线路和负载调节。优化的内部环路补偿无需外部补偿元件。 ...
- 采用 SOT-583 封装的 3.8V 至 30V、3A、200kHz 至 2.2MHz 低 IQ 同步降压转换器 TPS6293x 是一款高效、易于使用的同步降压转换器，具有 3.8 V 至 30 V 的宽输入电压范围，支持高达 2A（TPS62932）和 3A（TPS62933 和 TPS62933x）的连续输出电流和 0.8 V 至 22 V 的输出电压。 该器件采用固定频率峰值电流控制模式，可实现快速瞬态响应以及良好的线路和负载调节。优化的内部环路补偿无需外部补偿元件。 ...
- 具有逻辑电平转换器的耐辐射八线至单线数据选择器/多路复用器 SN54SC8T151-SEP 数据选择器/多路复用器提供全二进制解码，用于选择八个数据源之一。选通 (G) 输入必须处于低逻辑电平才能启用输入。选通端子的高电平会强制标准输出 (Y) 为低电平，反相输出 (W) 为高电平。
- 具有逻辑电平转换器的耐辐射八线至单线数据选择器/多路复用器 SN54SC8T151-SEP 数据选择器/多路复用器提供全二进制解码，用于选择八个数据源之一。选通 (G) 输入必须处于低逻辑电平才能启用输入。选通端子的高电平会强制标准输出 (Y) 为低电平，反相输出 (W) 为高电平。
- 5V、4:1、单通道通用模拟多路复用器 TMUX1204 是一款现代互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟多路复用器 (MUX)，采用 4:1 单端（1 通道）配置。TMUX1204 采用单电源（1.08 V 至 5.5 V）工作，适用于从个人电子产品到楼宇自动化系统等各种应用。10 nA 的低电源电流使其适用于便携式应用。 所有逻辑输入均具有 1.8 V 逻辑兼容阈值，确保在有效电源电压范围内工作时兼容 TTL 和 CMOS ...
- 5V、4:1、单通道通用模拟多路复用器 TMUX1204 是一款现代互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟多路复用器 (MUX)，采用 4:1 单端（1 通道）配置。TMUX1204 采用单电源（1.08 V 至 5.5 V）工作，适用于从个人电子产品到楼宇自动化系统等各种应用。10 nA 的低电源电流使其适用于便携式应用。 所有逻辑输入均具有 1.8 V 逻辑兼容阈值，确保在有效电源电压范围内工作时兼容 TTL 和 CMOS ...