Datasheets - 10

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181. SiHFR9310-GE3 — Datasheet Vishay
     MOSFET单晶体管 Vishay SiHFR9310 SiHFR9310-GE3
     晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay SiHFR9310
     功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
182. IRFU9310 — Datasheet Vishay
     MOSFET单晶体管 Vishay IRFU9310
     晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFU9310
     功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。

183. IRFU9310PbF — Datasheet Vishay
     MOSFET单晶体管 Vishay IRFU9310 IRFU9310PbF
     晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFU9310
     功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
184. IRFR9310 — Datasheet Vishay
     MOSFET单晶体管 Vishay IRFR9310
     晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFR9310
     功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
185. IRFR9310TRRPbF — Datasheet Vishay
     MOSFET单晶体管 Vishay IRFR9310 IRFR9310TRRPbF
     晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFR9310
     功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
186. IRFR9310TRPbF — Datasheet Vishay
     MOSFET单晶体管 Vishay IRFR9310 IRFR9310TRPbF
     晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFR9310
     功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
187. IRFR9310TRLPbF-BE3 — Datasheet Vishay
     MOSFET单晶体管 Vishay IRFR9310 IRFR9310TRLPbF-BE3
     晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFR9310
     功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
188. IRFR9310PbF — Datasheet Vishay
     MOSFET单晶体管 Vishay IRFR9310 IRFR9310PbF
     晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFR9310
     功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
189. IRFR9310TRLPbF — Datasheet Vishay
     MOSFET单晶体管 Vishay IRFR9310 IRFR9310TRLPbF
     晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFR9310
     功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
190. FDS6675 — Datasheet Fairchild
     MOSFET单晶体管 Fairchild FDS6675
     单 P 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET -30V、-11A、14mΩ 该 P 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺经过专门定制，可最大程度地降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合笔记本电脑应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及 DC/DC 转换。
191. BDX44 — Datasheet Philips
     双极型单晶体管 Philips BDX44
     双极阵列和模块 Philips BDX44
     NPN 达林顿晶体管
192. BDX43 — Datasheet Philips
     双极型单晶体管 Philips BDX43
     双极阵列和模块 Philips BDX43
     NPN 达林顿晶体管
193. BDX42 — Datasheet Philips
     双极型单晶体管 Philips BDX42
     双极阵列和模块 Philips BDX42
     NPN 达林顿晶体管
194. LS7084N — Datasheet LSI Computer Systems
     数据转换器-专用 LSI Computer Systems LS7084N
     正交时钟转换器
195. LS7083N — Datasheet LSI Computer Systems
     数据转换器-专用 LSI Computer Systems LS7083N
     正交时钟转换器
196. RE11 — Datasheet Switch Channel
     编码器 Switch Channel RE11
     Soltem编码器
197. TOP242 — Datasheet Power Integrations
     电源管理IC Power Integrations TOPSwitch-GX TOP242
     集成开关模式电源芯片，可将控制输入处的电流转换为高压功率 MOSFET 开漏输出处的占空比。
198. TOP242PN-TL — Datasheet Power Integrations
     电源管理IC Power Integrations TOPSwitch-GX TOP242 TOP242PN-TL
     集成开关模式电源芯片，可将控制输入处的电流转换为高压功率 MOSFET 开漏输出处的占空比。
199. TOP242PN — Datasheet Power Integrations
     电源管理IC Power Integrations TOPSwitch-GX TOP242 TOP242PN
     集成开关模式电源芯片，可将控制输入处的电流转换为高压功率 MOSFET 开漏输出处的占空比。
200. TOP242P-TL — Datasheet Power Integrations
     电源管理IC Power Integrations TOPSwitch-GX TOP242 TOP242P-TL
     开关模式电源芯片。 集成开关模式电源芯片，可将控制输入处的电流转换为高压功率 MOSFET 开漏输出处的占空比。