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74AVCH1T45FU,LF(GT — Datasheet Toshiba
射频收发器集成电路
Toshiba
74AVCH1T45FU
74AVCH1T45FU,LF(GT
采用 SOT-363 (US6) 封装的 1 位双电源总线收发器,带总线阈值和可配置电源。
74AVCH2T45FK — Datasheet Toshiba
射频收发器集成电路
Toshiba
74AVCH2T45FK
采用 SOT-765 (US8) 封装的 2 位双电源总线收发器,带总线阈值和可配置电源。
74AVC2T45FK — Datasheet Toshiba
射频收发器集成电路
Toshiba
74AVC2T45FK
采用 SOT-765 (US8) 封装的 2 位双电源总线收发器,带可配置电源。
74AVC1T45FU — Datasheet Toshiba
射频收发器集成电路
Toshiba
74AVC1T45FU
采用 SOT-363 (US6) 封装的 1 位双电源总线收发器,带可配置电源。
74AVCH1T45NX — Datasheet Toshiba
射频收发器集成电路
Toshiba
74AVCH1T45NX
采用 XSON6(MP6D) 封装的 1 位双电源总线收发器,具有总线阈值和可配置电源。
74AVC1T45NX — Datasheet Toshiba
射频收发器集成电路
Toshiba
74AVC1T45NX
采用 XSON6(MP6D) 封装的 1 位双电源总线收发器,带可配置电源
TP65B110HRU-TR — Datasheet Renesas
配电开关
Renesas
TP65B110HRU
TP65B110HRU-TR
采用TOLT封装的650V 110mΩ高压GaN双向开关 TP65B110HRU 是一款基于瑞萨电子第一代 SuperGaN 双向平台的 650V 110mΩ 共漏极双向开关 (BDS)。它采用最小的封装尺寸和一流的开关性能,可在两个方向上导通电流并阻断电压。该器件集成了单片式双向高压耗尽型 GaN 和常关型低压硅 MOSFET,从而为高级功率应用提供卓越的性能、高阈值电压以兼容标准栅极驱动、易于集成以及强大的可靠性。
NCV33039DR2 — Datasheet ON Semiconductor
马达/运动/点火控制器和驱动器
ON Semiconductor
NCV33039
NCV33039DR2
高性能闭环速度控制适配器,适用于无刷直流电机控制系统,采用SOIC-8封装 NCV前缀适用于汽车及其他需要现场和变更控制的应用。
MC33039D — Datasheet ON Semiconductor
马达/运动/点火控制器和驱动器
ON Semiconductor
MC33039
MC33039D
用于无刷直流电机控制系统的高性能闭环速度控制适配器 MC33039 是一款高性能闭环速度控制适配器,专为无刷直流电机控制系统而设计。它无需磁性或光学转速计即可实现精确的速度调节。该器件包含三个带迟滞的输入缓冲器,以增强抗噪声能力;三个数字边沿检测器;一个可编程单稳态稳压器;以及一个内部并联稳压器。此外,它还包含一个逆变器输出,用于需要转换传感器相位的系统。虽然该器件主要用于 MC33035 无刷电机控制器,但它也可以经济高效地应用于许多其他闭环速度控制应用中。
UU10LFBNP-B332 — Datasheet Sumida
共模扼流圈
Sumida
UU
UU10LFB
UU10LFBNP-B332
交流共模线圈
UU10LFNP-B123 — Datasheet Sumida
共模扼流圈
Sumida
UU
UU10LF
UU10LFNP-B123
垂直式交流共模线圈,4引脚封装
ZVNL110A — Datasheet Diodes
单FET、MOSFET
Diodes
ZVNL110A
采用 E-Line 封装的 N 沟道增强型垂直 DMOS FET
0ZCF0030FF2C — Datasheet Bel
聚氯乙烯
Bel
0ZCF
0ZCF0030FF2C
符合 AEC-Q 标准的表面贴装 PTC 可复位保险丝,具有快速跳闸时间和高保持电流,采用 2920 芯片尺寸封装。 最大电压 6 - 60V DC,工作(保持电流)范围 300mA - 3A,最大电流 100A,工作温度 -40ºC 至 85ºC。
M51923P — Datasheet Renesas
比较器
Renesas
M51923
M51923P
这款双电压比较器集成电路采用 DIP-8 封装,专为模拟信号比较、阈值检测和电源监控应用而设计。 该器件可在宽单电源电压范围内工作,具有低功耗,并提供与 TTL/CMOS 逻辑系列兼容的输出。
DK1a-24V-F — Datasheet Panasonic
通用继电器
Panasonic
DK
DK1a-24V-F
1 型 A 10 A 小型极化功率继电器
ZXM61P03FTA — Datasheet Diodes
单FET、MOSFET
Diodes
ZXM61P03F
ZXM61P03FTA
30V P沟道增强型MOSFET,SOT23封装
FDN360P — Datasheet ON Semiconductor
单FET、MOSFET
ON Semiconductor
FDN360P
PowerTrench 单 P 沟道 MOSFET,SOT-23 封装 这款 P 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的功率沟槽工艺制造,该工艺经过专门优化,可最大限度地降低导通电阻,同时保持低栅极电荷,从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合需要低线路损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
AX-1838HS — Datasheet Aixin
红外线接收器
Aixin
AX-1838HS
适用于遥控和其他需要增强环境光抑制的应用的微型红外接收器,采用TSOP式金属屏蔽封装 独立的PIN二极管和前置放大器IC组装在同一引线框架上。环氧树脂封装内含一个特殊的红外滤波器。即使在环境光线干扰较大的应用中,该模块也能保持优异的性能,并能防止不受控制的输出脉冲。
SHT20-TR-1.5KS — Datasheet Sensirion
湿度传感器
Sensirion
SHT20
SHT20-TR-1.5KS
±3% 数字温湿度传感器 SHT2x系列数字湿度传感器广泛应用于各种领域,并已成为事实上的行业标准。该系列包括搭载SHT20湿度传感器的低成本版本、搭载SHT21湿度传感器的标准版本以及搭载SHT25湿度传感器的高端版本。其开放式模塑封装(除湿度传感器区域外,芯片全部封装在内)可有效保护电容式湿度传感器免受外部冲击,并确保其优异的长期稳定性。SHT2x传感器可提供大批量和小批量供货。 SHT2x系列湿度传感器采用3 × 3 × 1.1 ...
EPC23111 — Datasheet Efficient Power Conversion
半桥功率级集成电路
Efficient Power Conversion
EPC23111
100V,20A ePower Stage IC 集成高侧和低侧 eGaN FET,带内部栅极驱动器和电平转换器,功率级负载电流最大 20 A,输入电压 100 V
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