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- 功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- 功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- 功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- HEXFET功率MOSFET
- 2.5V 低拐点电流电压参考 描述 ZRC250 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装，非常适合需要节省空间的应用，以及满足通孔要求的封装。ZRC250 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压，并且在电容负载下也能保持稳定。建议将 ZRC250 的电流在 20µA 和 5mA 之间运行，因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能，但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
2.5V 低拐点电流电压参考 描述 ZRC250 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装，非常适合需要节省空间的应用，以及满足通孔要求的封装。ZRC250 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压，并且在电容负载下也能保持稳定。建议将 ZRC250 的电流在 20µA 和 5mA 之间运行，因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能，但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...- 2.5V 低拐点电流电压参考 描述 ZRC250 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装，非常适合需要节省空间的应用，以及满足通孔要求的封装。ZRC250 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压，并且在电容负载下也能保持稳定。建议将 ZRC250 的电流在 20µA 和 5mA 之间运行，因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能，但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
- 2.5V 低拐点电流电压参考 描述 ZRC250 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装，非常适合需要节省空间的应用，以及满足通孔要求的封装。ZRC250 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压，并且在电容负载下也能保持稳定。建议将 ZRC250 的电流在 20µA 和 5mA 之间运行，因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能，但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
- 硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
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- 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
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- 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计