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N沟道30 V 8 mΩ逻辑电平MOSFET，LFPAK封装 采用TrenchMOS技术的塑料封装逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为工业和通信应用而设计，并符合相关标准。- 1-通道晶体管输出型光电耦合器
小信号 MOSFET，30V，0.35A，3.7Ω，-30V，-0.2A，10.4Ω，互补 MCPH6 过时的 MCH6613 是一款小信号 MOSFET，30V、0.35A、3.7Ω、-30V、-0.2A、10.4Ω，与 MCPH6 互补，适用于通用开关设备应用。
5.5V 至 100V 输入汽车级、3.5A 标准降压转换器 AP6A255Q/AP6A355Q 是一款内部补偿的标准 DC-DC 降压转换器，默认频率为 300kHz。该器件完全集成 500mΩ 高侧功率 MOSFET，可提供高效的降压 DC-DC 转换。 AP6A255Q/AP6A355Q 器件采用恒定导通时间 (COT) 控制来实现快速瞬态响应、轻松环路稳定和低输出电压纹波，从而最大限度地减少外部元件数量，易于使用。 AP6A255Q/AP6A355Q 设计针对降低电磁干扰 (EMI) ...- 5.5V 至 100V 输入汽车级、2.5A 标准降压转换器 AP6A255Q/AP6A355Q 是一款内部补偿的标准 DC-DC 降压转换器，默认频率为 300kHz。该器件完全集成 500mΩ 高侧功率 MOSFET，可提供高效的降压 DC-DC 转换。 AP6A255Q/AP6A355Q 器件采用恒定导通时间 (COT) 控制来实现快速瞬态响应、轻松环路稳定和低输出电压纹波，从而最大限度地减少外部元件数量，易于使用。 AP6A255Q/AP6A355Q 设计针对降低电磁干扰 (EMI) ...
- 5.5V 至 80V 输入汽车级、3.5A 标准降压转换器 AP68255Q/AP68355Q 是一款内部补偿的标准 DC-DC 降压转换器，默认频率为 300kHz。该器件完全集成 500mΩ 高侧功率 MOSFET，可提供高效的降压 DC-DC 转换。 AP68255Q/AP68355Q 器件采用恒定导通时间 (COT) 控制来实现快速瞬态响应、轻松环路稳定和低输出电压纹波，从而最大限度地减少外部元件数量，易于使用。 AP68255Q/AP68355Q 设计针对降低电磁干扰 (EMI) ...
- 5.5V 至 80V 输入汽车级、2.5A 标准降压转换器 AP68255Q/AP68355Q 是一款内部补偿的标准 DC-DC 降压转换器，默认频率为 300kHz。该器件完全集成 500mΩ 高侧功率 MOSFET，可提供高效的降压 DC-DC 转换。 AP68255Q/AP68355Q 器件采用恒定导通时间 (COT) 控制来实现快速瞬态响应、轻松环路稳定和低输出电压纹波，从而最大限度地减少外部元件数量，易于使用。 AP68255Q/AP68355Q 设计针对降低电磁干扰 (EMI) ...
- P沟道JFET -30V InterFET J270 和 J271 JFET 适用于低噪声高增益放大器和开关应用。J270 的截止电压低于 2.0V，非常适合低电平电源。
- P沟道JFET -30V InterFET J270 和 J271 JFET 适用于低噪声高增益放大器和开关应用。J270 的截止电压低于 2.0V，非常适合低电平电源。
采用 TO-92 封装的 N 沟道通用放大器- 采用 TO-92 封装的 N 沟道通用放大器
采用 SOT-23 封装的 N 沟道通用放大器- 采用 SOT-23 封装的 N 沟道通用放大器
- 具有轨至轨输入和 o 的单路、24V、低功耗 (90 μA) 5 μV 偏移零漂移运算放大器 OPA186、OPA2186 和 OPA4186 (OPAx186) 均为低功耗、24 V、轨到轨输入和输出、零漂移运算放大器 (op amps)。这些运算放大器的失调电压（最大值）仅为 10 µV，且失调电压随温度变化的漂移仅为 0.04 µV/°C（最大值）。这些器件是精密仪器仪表、信号测量和有源滤波应用的理想选择。 90 µA 的低静态电流消耗使 OPAx186 ...
NPN高压晶体管 采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装的 NPN 高压晶体管。
Mosfet栅极驱动变压器- Mosfet栅极驱动变压器
- Mosfet栅极驱动变压器
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功率电感器