Datasheets - - 6
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主流性能线，具有64 KB闪存，72 MHz CPU，电机控制，USB和CAN的ARM Cortex-M3 MCU STM32F103xx中密度性能线系列集成了以72 MHz频率运行的高性能ARM Cortex -M3 32位RISC内核，高速嵌入式存储器（高达128 KB的Flash存储器和高达20 KB的SRAM），以及连接到两条APB总线的各种增强型I / ...
微波磁控管
- 六角施密特触发器 CD4584 是一款 6 回路逆变器，其输入端具有施密特触发器功能。
N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。
采用 DPAK/TO-252 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
75V 表面贴装二极管-稳压器，SMA封装
15V，350mW 表面贴装二极管-稳压器，SOT-23封装
5.1V，500mW 表面贴装二极管-稳压器，SOD-123封装- 负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
- 负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
- 陶瓷谐振器 20 MHz SMD
陶瓷谐振器 6.51 MHz t/h
陶瓷谐振器 4 MHz SMD
陶瓷谐振器 10 MHz 3 pF t/h- 陶瓷谐振器 12 MHz t/h
陶瓷谐振器 12 MHz t/h
25 MHz 陶瓷谐振器 SMD
采用 DIP-8 封装的高性能开关电源控制器 DK106 专为低功率开关模式控制而设计，广泛应用于小型家用电器。输入交流电源电压范围为 85V—265V。
控制集成电源系统 (CIPOS) 双列直插式智能功率模块 3Φ-桥 600V / 15A 该产品已于 2019 年 2 月 15 日停产。替代产品为 IKCM15F60GA。 CIPOS 模块系列提供了集成各种电源和控制组件的机会，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。 它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调等应用。 冰箱和洗衣机。该封装设计专为电力应用而优化，不仅需要良好的导热性和电气隔离性，还需要抗电磁干扰控制和过载保护。 TRENCHSTOP IGBT ...- 控制集成电源系统 (CIPOS) 双列直插式智能功率模块 3Φ-桥 600V / 15A 该产品已于 2019 年 2 月 15 日停产。替代产品为 IKCM15F60GA。 CIPOS 模块系列提供了集成各种电源和控制组件的机会，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。 它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调等应用。 冰箱和洗衣机。该封装设计专为电力应用而优化，不仅需要良好的导热性和电气隔离性，还需要抗电磁干扰控制和过载保护。 TRENCHSTOP IGBT ...