Datasheets - - 3
搜索结果: 95,028 输出量: 41-60
视图: 清单 / 图片
- 单色/区域彩色OLED驱动控制器
- 单色/区域彩色OLED驱动控制器
- 单色/区域彩色OLED驱动控制器
- 单色/区域彩色OLED驱动控制器
- 带控制器的128 x 64，点矩阵OLED / PLED段/通用驱动器 SSD1309是一款单芯片CMOS OLED/PLED驱动器，集成了用于有机/聚合物发光二极管点阵图形显示系统的控制器。它包含128段和64个公共端。该IC专为共阴极型OLED面板设计。 SSD1309 集成了对比度控制、显示 RAM 和振荡器，从而减少了外部元件的数量和功耗。它具有 256 级亮度控制。数据/命令可通过硬件可选的 6800/8080 系列兼容并行接口、I²C 接口或串行外设接口从通用 MCU ...
C型USB充电接口 USB Type-C接口，6针，仅用于充电。
C型USB充电接口 USB Type-C接口，6针，仅用于充电。- C型USB充电接口 USB Type-C接口，6针，仅用于充电。
采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-247AC封装是商业和工业应用中的首选，因为在这些应用中，较高的功率水平限制了TO-220AB器件的使用。 TO-247AC封装与早期的TO-218封装类似，但因其独立的安装孔而更胜一筹。此外，它还提供了更大的引脚间爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。- 带射频滤波器的四路 1.8MHz 零漂移 CMOS 轨到轨 I/O 运算放大器 GS855X 是一款单/双/四电源供电、微功耗、零漂移 CMOS 运算放大器，带宽高达 1.8MHz，支持轨到轨输入输出，单电源供电范围为 1.8V 至 5.5V。GS855X 采用斩波稳定技术，可提供极低的失调电压（最大值小于 30µV）和近乎零的温度漂移。每个放大器仅需 180µA 的低静态电源电流和 20pA 的极低输入偏置电流，使其成为低失调、低功耗和高阻抗应用的理想选择。GS855X ...
- 单个 1.8MHz 零漂移 CMOS 轨到轨 I/O 运算放大器，带射频滤波器 GS855X 是一款单/双/四电源供电、微功耗、零漂移 CMOS 运算放大器，带宽高达 1.8MHz，支持轨到轨输入输出，单电源供电范围为 1.8V 至 5.5V。GS855X 采用斩波稳定技术，可提供极低的失调电压（最大值小于 30µV）和近乎零的温度漂移。每个放大器仅需 180µA 的低静态电源电流和 20pA 的极低输入偏置电流，使其成为低失调、低功耗和高阻抗应用的理想选择。GS855X ...
- 双路 1.8MHz 零漂移 CMOS 轨到轨 I/O 运算放大器，带射频滤波器 GS855X 是一款单/双/四电源供电、微功耗、零漂移 CMOS 运算放大器，带宽高达 1.8MHz，支持轨到轨输入输出，单电源供电范围为 1.8V 至 5.5V。GS855X 采用斩波稳定技术，可提供极低的失调电压（最大值小于 30µV）和近乎零的温度漂移。每个放大器仅需 180µA 的低静态电源电流和 20pA 的极低输入偏置电流，使其成为低失调、低功耗和高阻抗应用的理想选择。GS855X ...
线绕电阻器，铝壳，大功率型。- 线绕电阻器，铝壳，大功率型。
- 线绕电阻器，铝壳，大功率型。
- 线绕电阻器，铝壳，大功率型。
- 线绕电阻器，铝壳，大功率型。
- 线绕电阻器，铝壳，大功率型。
- 线绕电阻器，铝壳，大功率型。
- 线绕电阻器，铝壳，大功率型。