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TO-92封装的小信号N沟道JFET 过时的
无刷电机汽车门驱动器
5A、180KHz、36V 降压型 DC-DC 转换器，采用 TO263-5L 封装 XL4015 是一款 180 kHz 固定频率 PWM 降压型 DC/DC 转换器，能够以高效率、低纹波和出色的线路及负载调整率驱动 5A 负载。该稳压器所需外部元件数量极少，使用简便，并内置频率补偿和固定频率振荡器。 PWM控制电路能够将占空比从0%线性调节至100%。电路内部内置过流保护功能。当发生短路保护时，工作频率将从180kHz降至48kHz。此外，电路还内置补偿模块，以最大限度地减少外部元件的数量。- 低噪声匹配晶体管阵列芯片 八晶体管裸芯片阵列
- 低噪声匹配晶体管阵列 THAT 300、320 和 340 是大尺寸、4 晶体管单片 NPN 和/或 PNP 晶体管阵列。它们兼具高速和低噪声特性，且同类型晶体管之间具有极佳的参数匹配。PNP 器件的典型基极扩展电阻为 25Ω（低增益 NPN 器件为 30Ω），因此其电压噪声低于 1 nV/√Hz。这使得 300 系列非常适合低噪声放大器输入级、对数放大器以及许多其他应用。四 NPN 晶体管阵列提供多种版本，可根据 hfe 值选择最小数量，分别为 150 (300A) 或 300 (300B)。
- 低噪声匹配晶体管阵列 THAT 300、320 和 340 是大尺寸、4 晶体管单片 NPN 和/或 PNP 晶体管阵列。它们兼具高速和低噪声特性，且同类型晶体管之间具有极佳的参数匹配。PNP 器件的典型基极扩展电阻为 25Ω（低增益 NPN 器件为 30Ω），因此其电压噪声低于 1 nV/√Hz。这使得 300 系列非常适合低噪声放大器输入级、对数放大器以及许多其他应用。四 NPN 晶体管阵列提供多种版本，可根据 hfe 值选择最小数量，分别为 150 (300A) 或 300 (300B)。
- 低噪声匹配晶体管阵列 THAT 300、320 和 340 是大尺寸、4 晶体管单片 NPN 和/或 PNP 晶体管阵列。它们兼具高速和低噪声特性，且同类型晶体管之间具有极佳的参数匹配。PNP 器件的典型基极扩展电阻为 25Ω（低增益 NPN 器件为 30Ω），因此其电压噪声低于 1 nV/√Hz。这使得 300 系列非常适合低噪声放大器输入级、对数放大器以及许多其他应用。四 NPN 晶体管阵列提供多种版本，可根据 hfe 值选择最小数量，分别为 150 (300A) 或 300 (300B)。
- 匹配单片四晶体管 MAT04 是一款四路单片 NPN 晶体管，为精密放大器和非线性电路应用提供出色的参数匹配。MAT04 的性能特点包括：在宽集电极电流范围内具有高增益（最低 400）、低噪声（100Hz IC = 1 mA 时最大 2.25nV/√Hz）以及优异的对数一致性。此外，MAT04 还具有 200µV 的低失调电压和严格的电流增益匹配（误差在 2% 以内）。MAT04 ...
主流性能线，具有64 KB闪存，72 MHz CPU，电机控制，USB和CAN的ARM Cortex-M3 MCU STM32F103xx中密度性能线系列集成了以72 MHz频率运行的高性能ARM Cortex -M3 32位RISC内核，高速嵌入式存储器（高达128 KB的Flash存储器和高达20 KB的SRAM），以及连接到两条APB总线的各种增强型I / ...
微波磁控管- 六角施密特触发器 CD4584 是一款 6 回路逆变器，其输入端具有施密特触发器功能。
N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。
采用 DPAK/TO-252 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
75V 表面贴装二极管-稳压器，SMA封装
15V，350mW 表面贴装二极管-稳压器，SOT-23封装
5.1V，500mW 表面贴装二极管-稳压器，SOD-123封装- 负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
- 负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
- 陶瓷谐振器 20 MHz SMD
陶瓷谐振器 6.51 MHz t/h