Datasheets - 单IGBT - 2
小节: "单IGBT"
制造商
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采用TO-247AD封装的1200V IGBT共封装，带有超快5-40 kHz软恢复二极管。- 采用TO-247AD封装的1200V IGBT共封装，带有超快5-40 kHz软恢复二极管。
- 沟槽式门极场截止IGBT，650 V，50 A软开关IH系列，采用TO-247长引线封装
- 沟槽栅极场截止650 V，40 A，软开关IH系列IGBT，采用TO-247长引线封装
- 650V场截止IGBT
- 650V场截止IGBT
- TO650中的650V场截止IGBT DGTD65T40S2PT使用先进的场截止沟槽IGBT技术生产，具有出色的质量和高开关性能。
- 650V场截止IGBT DGTD65T15H2TF使用先进的场截止沟槽IGBT技术生产，该技术具有高性能，出色的质量和高耐用性。
- 1200V场截止IGBT
- 1200V场截止IGBT
- F系列受保护IGBT将采用RC-H5技术的1350 V，20 A IGBT与独特的保护栅极驱动器IC结合在一起，并采用TO-247 6引脚封装，用于感应烹饪应用。
- F系列受保护IGBT将采用RC-H5技术的1350 V，20 A IGBT与独特的保护栅极驱动器IC结合在一起，并采用TO-247 6引脚封装，用于感应烹饪应用。