Datasheet Diodes DGTD65T15H2TF — 数据表

制造商Diodes
系列DGTD65T15H2TF
零件号DGTD65T15H2TF

650V场截止IGBT

数据表

Datasheet DGTD65T15H2TF
PDF, 1.8 Mb, 语言: en, 文件上传: Mar 26, 2019, 页数: 9
650V Field Stop IGBT
从文件中提取

价格

详细说明

DGTD65T15H2TF使用先进的场截止沟槽IGBT技术生产,该技术具有高性能,出色的质量和高耐用性。

打包

PackageITO220AB (Type MC)

参数化

Anti Parallel DiodeYes
EOFF typ @ +25°C0.086 mJ
EON typ @ +25°C0.27 mJ
IC @ +100°C15 A
IC @ +25°C30 A
Power Dissipation @ TC = +25°C48 W
Short Circuit5 µs
VCE(sat) max @ +25°C2 V
VCE(sat) typ @ +25°C1.65 V
VCES650 V

制造商分类

  • Discrete > IGBTs