低 I sub Q /sub 、双路、两相同步降压控制器,适用于采用 40 引脚 QFN 封装(6mm x 6mm,塑料面可润湿)的 GaN FET。 LTC7890 是一款高性能双降压直流-直流开关稳压器控制器,可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级,输入电压最高可达 100 V。LTC7890 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比,LTC7890 ...
100V 低 I sub Q /sub 同步升压控制器,适用于采用 28 引脚 QFN 封装(4mm x 5mm,塑料面可润湿)的 GaN FET。 LTC7893 是一款高性能升压型直流-直流开关稳压器控制器,可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级,输出电压最高可达 100V。LTC7893 解决了传统使用 GaN FET 时面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比,LTC7893 ...
低 I sub Q /sub 、双路、两相同步升压控制器,适用于采用 40 引脚 QFN 封装(6mm x 6mm,塑料面可润湿)的 GaN FET。 LTC7892 是一款高性能双路升压 DC-DC 开关稳压器控制器,可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级,输出电压高达 100V。LTC7892 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比,LTC7892 ...
100V、低I sub Q /sub 、同步降压控制器,适用于采用28引脚QFN封装(4mm x 5mm,塑料面可润湿)的GaN FET。 LTC7891 是一款高性能降压型直流-直流开关稳压器控制器,可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级,输入电压最高可达 100 V。LTC7891 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比,LTC7891 ...