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100V，20A ePower Stage IC 集成高侧和低侧 eGaN FET，带内部栅极驱动器和电平转换器，功率级负载电流最大 20 A，输入电压 100 V
100V，20A ePower Stage IC 集成高侧和低侧 eGaN FET，带内部栅极驱动器和电平转换器，功率级负载电流最大 20 A，输入电压 100 V
100V，35A ePower 级集成电路 集成高侧和低侧 eGaN FET，带内部栅极驱动器和电平转换器，功率级负载电流最大 35 A，输入电压 100 V
100V，35A ePower 级集成电路 集成高侧和低侧 eGaN FET，带内部栅极驱动器和电平转换器，功率级负载电流最大 35 A，输入电压 100 V
Mmcx jack str pcb 50 6g Hz brs b
SMA射频连接器
射频连接器 SMA 插孔 STR 50 欧姆 PCB
SMA插座边缘安装 IP68 IP69K，SMA连接器插座，母座 50 欧姆 板边安装，端部安装；面板安装焊接
SMA直角黄铜镀金插座，标准极性PCB通孔，未评级
SMA直插式黄铜镀金插头 - 标准极性PCB通孔，未评级
十圈伺服或衬套安装霍尔效应传感器，尺寸为 09 (22.2 毫米) 特点 34THE 所有电气角度均可达到：3600° 精确线性度可达：±0.5% 超长使用寿命：伺服电机5000万次循环，轴承1000万次循环
LoRa Connect 远距离低功耗 LoRa 2.4GHz 射频收发器，带测距功能，采用 QFN 24 封装 SX1281 收发器可在 2.4GHz 频段提供超远距离通信，并具有出色的线性响应能力，能够抵抗强烈的干扰。这使其成为构建稳健可靠的无线解决方案的理想之选。- LoRa Connect 远距离低功耗 LoRa 2.4GHz 射频收发器，带测距功能，采用 QFN 24 封装 SX1280 收发器可在 2.4GHz 频段提供超远距离通信，并具有出色的线性度，能够抵抗强烈的干扰。这使其成为构建稳健可靠的无线解决方案的理想之选。
600W表面贴装瞬态电压抑制器- 肖特基功率整流器，表面贴装，2.0 A，40 V，采用 403A-03 封装 肖特基整流器在金属硅电源整流器中采用肖特基势垒原理。它具有带氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。肖特基整流器非常适用于低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
- 5V/5V 1.5W 3kVrms 隔离式 DC-DC 模块，带集成变压器 UCC33420 是一款工业级 DC/DC 电源模块，采用集成变压器技术，旨在提供 1.5W 的隔离输出功率。它支持 4.5V 至 5.5V 的输入电压工作范围，并可将输出电压调节至 5.0V，并具有 5.5V 的可选裕量。 UCC33420 采用专有的变压器架构，可实现 3kVRMS 隔离度，同时支持低 EMI 和出色的负载调节。 UCC33420 ...
- 汽车级，5.5V 至 20V VIN，1.5W 稳压 5kVRMS 隔离式 DC/DC 模块，带集成变压器 UCC34141-Q1 是一款符合汽车级标准的增强隔离、高工作电压的 DC/DC 电源模块，专为 SiC 和 IGBT 隔离栅极驱动器供电而设计。TI 的专有集成变压器和先进的控制架构实现了高功率密度、低噪声和低成本的系统。该器件在 85°C 环境温度下可提供 1.5W 的典型输出功率。高精度双输出电压可通过电阻分压器轻松设置，从而实现 SiC/IGBT ...
WB 宽带射频变压器
采用 TO-247 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管- 采用 TO-247 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管