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主流性能线，具有64 KB闪存，72 MHz CPU，电机控制，USB和CAN的ARM Cortex-M3 MCU STM32F103xx中密度性能线系列集成了以72 MHz频率运行的高性能ARM Cortex -M3 32位RISC内核，高速嵌入式存储器（高达128 KB的Flash存储器和高达20 KB的SRAM），以及连接到两条APB总线的各种增强型I / ...- 主流性能线，具有64 KB闪存，72 MHz CPU，电机控制，USB和CAN的ARM Cortex-M3 MCU STM32F103xx中密度性能线系列集成了以72 MHz频率运行的高性能ARM Cortex -M3 32位RISC内核，高速嵌入式存储器（高达128 KB的闪存和高达20 KB的SRAM），以及连接到两条APB总线的各种增强型I / ...
- 主流性能线，具有64 KB闪存，72 MHz CPU，电机控制，USB和CAN的ARM Cortex-M3 MCU STM32F103xx中密度性能线系列集成了以72 MHz频率运行的高性能ARM Cortex -M3 32位RISC内核，高速嵌入式存储器（高达128 KB的Flash存储器和高达20 KB的SRAM），以及连接到两条APB总线的各种增强型I / ...
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- 主流性能线，具有64 KB闪存，72 MHz CPU，电机控制，USB和CAN的ARM Cortex-M3 MCU STM32F103xx中密度性能线系列集成了以72 MHz频率运行的高性能ARM Cortex -M3 32位RISC内核，高速嵌入式存储器（高达128 KB的Flash存储器和高达20 KB的SRAM），以及连接到两条APB总线的各种增强型I / ...
微波磁控管- 微波磁控管
- 六角施密特触发器 CD4584 是一款 6 回路逆变器，其输入端具有施密特触发器功能。
- 六角施密特触发器 CD4584 是一款 6 回路逆变器，其输入端具有施密特触发器功能。
- 六角施密特触发器 CD4584 是一款 6 回路逆变器，其输入端具有施密特触发器功能。
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N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。- N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。
- N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。
采用 DPAK/TO-252 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
75V 表面贴装二极管-稳压器，SMA封装- 75V 表面贴装二极管-稳压器，SMA封装
- 75V 表面贴装二极管-稳压器，SMA封装
- 75V 表面贴装二极管-稳压器，SMA封装
15V，350mW 表面贴装二极管-稳压器，SOT-23封装