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  1. Datasheet Team Source Display TSS013004A-AD
    采用STM32C091单片机的TSD 240x240分辨率旋转旋钮显示屏 TSD TFT产品型号TSS013004A-AD是一款1.3英寸、240x240分辨率的IPS圆形TFT液晶显示屏,采用STM32C091单片机,兼容方形AD板,并新增USB转UART接口,方便使用PC进行UART测试。这款1.3英寸旋钮式显示屏非常适合智能家居应用,例如咖啡机、洗衣机、智能马桶、恒温器、空调控制器等。 ...
  2. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2218
    100V,231A增强型氮化镓功率晶体管
  1. Datasheet Nisshinbo NT9003HDAE4S
    采用 DFN1212-4-HD 封装的 1mW 整流二极管 NT9003HDAE4S 是一款 1 mW 级整流二极管,专为 920 MHz、2.4 GHz 和 5.7 GHz 频段的微波无线电力传输 (WPT) 整流电路而优化。该二极管具有低正向电压和高反向电压,可在 WPT 整流电路中实现宽动态范围和高效率。此外,该二极管采用小型 DFN 封装,可实现紧凑的安装空间。
  2. Datasheet Nisshinbo NT9002HDAE4S
    采用 DFN1212-4-HD 封装的 1mW 整流二极管 NT9002HDAE4S 是一款 1 mW 级整流二极管,专为 920 MHz、2.4 GHz 和 5.7 GHz 频段的微波无线电力传输 (WPT) 整流电路而优化。该二极管具有低正向电压和高反向电压,可在 WPT 整流电路中实现宽动态范围和高效率。此外,该二极管采用小型 DFN 封装,可实现紧凑的安装空间。
  3. Datasheet Nisshinbo NT9001HDAE4S
    采用 DFN1212-4-HD 封装的 1W 整流二极管 NT9001HDAE4S 是一款 1W 级整流二极管,专为 920MHz、2.4GHz 和 5.7GHz 频段的微波无线电力传输 (WPT) 整流电路而优化。该二极管具有低正向电压和高反向电压,可在 WPT 整流电路中实现宽动态范围和高效率。此外,该二极管采用小型 DFN 封装,可实现紧凑的安装空间。
  4. Datasheet Nisshinbo NT9000HDAE4S
    采用 DFN1212-4-HD 封装的 1W 整流二极管 NT9000HDAE4S 是一款 1W 级整流二极管,专为 920MHz、2.4GHz 和 5.7GHz 频段的微波无线电力传输 (WPT) 整流电路而优化。该二极管具有低正向电压和高反向电压,从而在 WPT 整流电路中实现宽动态范围和高效率。此外,该二极管采用小型 DFN 封装,可实现紧凑的安装空间。
  5. Datasheet Analog Devices LTC7890RUJM#PBF
    低 I sub Q /sub 、双路、两相同步降压控制器,适用于采用 40 引脚 QFN 封装(6mm x 6mm,塑料面可润湿)的 GaN FET。 LTC7890 是一款高性能双降压直流-直流开关稳压器控制器,可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级,输入电压最高可达 100 V。LTC7890 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比,LTC7890 ...
  6. Datasheet Analog Devices LTC7893AUFDM#PBF
    100V 低 I sub Q /sub 同步升压控制器,适用于采用 28 引脚 QFN 封装(4mm x 5mm,塑料面可润湿)的 GaN FET。 LTC7893 是一款高性能升压型直流-直流开关稳压器控制器,可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级,输出电压最高可达 100V。LTC7893 解决了传统使用 GaN FET 时面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比,LTC7893 ...
  7. Datasheet Analog Devices LTC7892AUJM#PBF
    低 I sub Q /sub 、双路、两相同步升压控制器,适用于采用 40 引脚 QFN 封装(6mm x 6mm,塑料面可润湿)的 GaN FET。 LTC7892 是一款高性能双路升压 DC-DC 开关稳压器控制器,可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级,输出电压高达 100V。LTC7892 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比,LTC7892 ...
  8. Datasheet Analog Devices LTC7891RUFDM#PBF
    100V、低I sub Q /sub 、同步降压控制器,适用于采用28引脚QFN封装(4mm x 5mm,塑料面可润湿)的GaN FET。 LTC7891 是一款高性能降压型直流-直流开关稳压器控制器,可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级,输入电压最高可达 100 V。LTC7891 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比,LTC7891 ...
  9. Datasheet Infineon BSS316NH6327XTSA1
    N沟道小信号MOSFET,30V,SOT-23封装
  10. Datasheet TDK B57891S0103F008
    用于温度测量的NTC热敏电阻,圆盘封装,直径4.5mm x 宽度4.5mm 引线式NTC热敏电阻,引线间距2.5毫米
  11. Datasheet Central Semiconductor 2N1777A
    7.4A,400V TO-64封装直插式可控硅整流器
  12. Datasheet Central Semiconductor 2N1776A
    7.4A,300V TO-64封装直插式可控硅整流器
  13. Datasheet Central Semiconductor 2N1774A
    7.4A,200V TO-64封装直插式可控硅整流器
  14. Datasheet Central Semiconductor 2N1772A
    7.4A、100V TO-64封装直插式可控硅整流器
  15. Datasheet Digitron Semiconductors 2N6170
    13A 硅控整流器,TO-48 ISO封装 符合 MIL-PRF-19500 标准的高可靠性器件,请在部件号后添加“-HR”后缀。如需了解“-HR”后缀产品信息,请联系我们。如需无铅涂层,请在部件号后添加“PBF”后缀。
  16. Datasheet Digitron Semiconductors 2N6169
    13A 硅控整流器,TO-48 ISO封装 符合 MIL-PRF-19500 标准的高可靠性器件,请在部件号后添加“-HR”后缀。如需了解“-HR”后缀产品信息,请联系我们。如需无铅涂层,请在部件号后添加“PBF”后缀。
  17. Datasheet Digitron Semiconductors 2N6168
    13A 硅控整流器,TO-48 ISO封装 符合 MIL-PRF-19500 标准的高可靠性器件,请在部件号后添加“-HR”后缀。如需了解“-HR”后缀产品信息,请联系我们。如需无铅涂层,请在部件号后添加“PBF”后缀。
  18. Datasheet Digitron Semiconductors 2N6167
    13A 硅控整流器,TO-48 ISO封装 符合 MIL-PRF-19500 标准的高可靠性器件,请在部件号后添加“-HR”后缀。如需了解“-HR”后缀产品信息,请联系我们。如需无铅涂层,请在部件号后添加“PBF”后缀。