Datasheets - IGBT / MOSFET驱动器

小节: "IGBT / MOSFET驱动器"
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  1. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  2. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  3. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  4. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  1. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  2. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  3. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  4. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  5. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  6. 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  7. 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入,具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源,4A灌驱动器,具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配,因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
  8. 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入,具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源,4A灌驱动器,具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配,因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
  9. 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入,具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源,4A灌驱动器,具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配,因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
  10. 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入,具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源,4A灌驱动器,具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配,因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
  11. Datasheet Toshiba TPD7107F
    智能功率设备(带内置电荷泵的高端功率MOSFET驱动器)
  12. 智能功率设备(带内置电荷泵的高端功率MOSFET驱动器)
  13. Datasheet Power Integrations SID1181KQ
    具有增强型隔离度的单通道IGBT / MOSFET栅极驱动器,用于汽车应用 SID11xxKQ是采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。 Power Integrations的创新型固态绝缘子FluxLink技术提供了增强的电隔离。 8 A的峰值输出驱动电流使该产品能够驱动高达600 ...
  14. Datasheet Power Integrations SID1182KQ
    具有增强型隔离度的单通道IGBT / MOSFET栅极驱动器,用于汽车应用 SID11xxKQ是采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。 Power Integrations的创新型固态绝缘子FluxLink技术提供了增强的电隔离。 8 A的峰值输出驱动电流使该产品能够驱动高达600 ...
  15. Datasheet Power Integrations SID1132KQ
    具有增强型隔离度的单通道IGBT / MOSFET栅极驱动器,用于汽车应用 SID11xxKQ是采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。 Power Integrations的创新型固态绝缘子FluxLink技术提供了增强的电隔离。 8 A的峰值输出驱动电流使该产品能够驱动高达600 ...
  16. 具有自适应死区时间,抗击穿和过流保护的85v三相MOSFET驱动器