Datasheets - IGBT / MOSFET驱动器 - 2
小节: "IGBT / MOSFET驱动器"
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- 具有热保护功能的高速、双路、4 A MOSFET 驱动器 ADP362x/ADP363x 是一个大电流和双高速驱动器系列，能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列采用行业标准尺寸，但增加了高速开关性能并提高了系统可靠性。
- 具有热保护功能的高速、双路、4 A MOSFET 驱动器 ADP362x/ADP363x 是一个大电流和双高速驱动器系列，能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列采用行业标准尺寸，但增加了高速开关性能并提高了系统可靠性。
- 适用于 12 V、24 V 和 48 V 汽车应用的具有智能保险丝保护功能的高边开关控制器 所有功能 符合 AEC-Q100 汽车标准 一般的 适用于汽车 12 V、24 V 和 48 V 应用的具有电子熔断器保护的高侧开关控制 IC 用于主机控制的 SPI 从接口 32 位 ST-SPI 接口兼容 3.3 V 和 5 V CMOS 电平 2级电荷泵 高端配置中外部 MOSFET 的栅极驱动 通过 SPI 通过外部高侧分流电阻器进行高精度单向数字电流检测 用于监控外部 MOSFET 温度的 ...
- 适用于 12 V、24 V 和 48 V 汽车应用的具有智能保险丝保护功能的高边开关控制器 所有功能 符合 AEC-Q100 汽车标准 一般的 适用于汽车 12 V、24 V 和 48 V 应用的具有电子熔断器保护的高侧开关控制 IC 用于主机控制的 SPI 从接口 32 位 ST-SPI 接口兼容 3.3 V 和 5 V CMOS 电平 2级电荷泵 高端配置中外部 MOSFET 的栅极驱动 通过 SPI 通过外部高侧分流电阻器进行高精度单向数字电流检测 用于监控外部 MOSFET 温度的 ...
- 20 安培低侧超快 RF MOSFET 驱动器
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
- 具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
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- 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入，具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源，4A灌驱动器，具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
- 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入，具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源，4A灌驱动器，具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
- 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入，具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源，4A灌驱动器，具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
- 具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入，具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源，4A灌驱动器，具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
智能功率设备（带内置电荷泵的高端功率MOSFET驱动器）