Datasheet Power Integrations SID1182KQ — 数据表

制造商Power Integrations
家庭SID11xxKQ
系列SID1182KQ
零件号SID1182KQ
Datasheet Power Integrations SID1182KQ

具有增强型隔离度的单通道IGBT / MOSFET栅极驱动器,用于汽车应用

数据表

Datasheet SID11x2KQ SCALE-iDriver Family
PDF, 1.7 Mb, 语言: en, 文件上传: Jan 20, 2020, 页数: 22
Up to 8 A Single Channel IGBT/MOSFET Gate Driver for Automotive Applications Providing Reinforced Galvanic Isolation up to 1200 V Blocking Voltage
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价格

详细说明

SID11xxKQ是采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。 Power Integrations的创新型固态绝缘子FluxLink技术提供了增强的电隔离。 8 A的峰值输出驱动电流使该产品能够驱动高达600 A(典型值)的IGBT和MOSFET,而无需任何其他有源元件。对于超出SID11xxKQ的独立功能的栅极驱动要求,可以添加一个外部放大器(升压器)。一个单极隔离电压源可为栅极控制提供稳定的正负电压。

其他功能,例如带有高级软关断(ASSD)的短路保护(DESAT),用于初级侧和次级侧的欠压锁定(UVLO)以及具有温度和过程补偿输出的轨到轨输出阻抗可确保即使在恶劣条件下也能安全操作。

控制器(PWM和故障)信号与5 V CMOS逻辑兼容,也可以通过使用外部电阻分压器将其调整为15 V电平。

其他选择

SID1132KQ

制造商分类