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- 30V P沟道增强型MOSFET，SOT23封装
- PowerTrench 单 P 沟道 MOSFET，SOT-23 封装 这款 P 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过专门优化，可最大限度地降低导通电阻，同时保持低栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合需要低线路损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
- N沟道小信号MOSFET，30V，SOT-23封装
- 采用 SOT-23 封装的 N 沟道开关 该设备专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器而设计。
- 采用 SOT-23 封装的 N 沟道开关 该设备专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器而设计。
- 采用 SOT-23 封装的 N 沟道开关 该设备专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器而设计。
- DIAC DB3/DB4 系列可用作具有固定电压基准的触发二极管，可与三端双向可控硅开关元件配合使用，以简化门控电路，或用作荧光灯镇流器的启动元件。 表面贴装 SOT23-3L 封装可实现紧凑的 SMD 设计，适用于自动化制造。
- 15V，350mW 表面贴装二极管-稳压器，SOT-23封装
- 20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 采用 SOT-23 封装的 N 沟道通用放大器
- 采用 SOT-23 封装的 N 沟道通用放大器
- SOT-23封装的NPN晶体管 与 2SA1252 互补
- 3 引脚塑料封装
- 精密微功耗并联参考电压3-SOT-23