Datasheets - 门驱动器 Infineon - 2
小节: "门驱动器"
制造商: "Infineon"
制造商
Analog Devices Diodes Efficient Power Conversion GaNPower International Infineon International Rectifier IXYS Linear Technology Microchip Renesas STMicroelectronics Texas Instruments Toshiba TRINAMIC家庭:
系列
1ED3491MU12M 1ED3830MU12M 1EDB6275F 1EDB7275F 1EDB8275F 1EDB9275F 1EDN7550B 1EDN7550U 1EDN8550B 2ED21064S06J 2ED2106S06F 2ED21084S06J 2ED2108S06F 2ED21091S06F 2ED21094S06J 2ED2109S06F 2ED21814S06J 2ED2181S06F 2ED21824S06J 2ED2182S06F 2ED21834S06J 2ED2183S06F 2ED21844S06J 2ED2184S06F 2ED24427N01F 6ED2230S12T IKCM15F60GD IR2011搜索结果: 58 输出量: 21-40
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- 采用DSO-24封装，带有集成自举二极管和过电流保护的1200 V、0.65 A三相栅极驱动器 1200 V 三相SOI栅极驱动器带有集成自举二极管和过电流保护，采用DSO-24封装（移除了四个引脚的DSO-28），具有典型的0.35 A源电流和0.65 A漏电流。用于驱动IGBT 和MOSFET。
采用DSO-24封装，带有集成自举二极管和过电流保护的1200 V、0.65 A三相栅极驱动器 1200 V 三相SOI栅极驱动器带有集成自举二极管和过电流保护，采用DSO-24封装（移除了四个引脚的DSO-28），具有典型的0.35 A源电流和0.65 A漏电流。用于驱动IGBT 和MOSFET。
- 具有真正差分输入的1通道非隔离式栅极驱动器IC系列
具有真正差分输入的1通道非隔离式栅极驱动器IC系列
带有集成自举二极管和DSO-14封装的650V，2.5A大电流半桥栅极驱动器IC- 带有集成自举二极管和DSO-14封装的650V，2.5A大电流半桥栅极驱动器IC
带有集成自举二极管和DSO-8封装的650V，2.5A大电流半桥栅极驱动器IC- 带有集成自举二极管和DSO-8封装的650V，2.5A大电流半桥栅极驱动器IC
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-8封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-8封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-8封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-8封装
- 650 V，2.5 A大电流高侧和低侧栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，2.5 A大电流高侧和低侧栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 带有集成自举二极管的650 V，2.5 A大电流高侧和低侧栅极驱动器IC，采用DSO-8封装
- 带有集成自举二极管的650 V，2.5 A大电流高侧和低侧栅极驱动器IC，采用DSO-8封装
排序方式: 关联 / 日期