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600W表面贴装瞬态电压抑制器- 肖特基功率整流器，表面贴装，2.0 A，40 V，采用 403A-03 封装 肖特基整流器在金属硅电源整流器中采用肖特基势垒原理。它具有带氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。肖特基整流器非常适用于低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
- 5V/5V 1.5W 3kVrms 隔离式 DC-DC 模块，带集成变压器 UCC33420 是一款工业级 DC/DC 电源模块，采用集成变压器技术，旨在提供 1.5W 的隔离输出功率。它支持 4.5V 至 5.5V 的输入电压工作范围，并可将输出电压调节至 5.0V，并具有 5.5V 的可选裕量。 UCC33420 采用专有的变压器架构，可实现 3kVRMS 隔离度，同时支持低 EMI 和出色的负载调节。 UCC33420 ...
- 汽车级，5.5V 至 20V VIN，1.5W 稳压 5kVRMS 隔离式 DC/DC 模块，带集成变压器 UCC34141-Q1 是一款符合汽车级标准的增强隔离、高工作电压的 DC/DC 电源模块，专为 SiC 和 IGBT 隔离栅极驱动器供电而设计。TI 的专有集成变压器和先进的控制架构实现了高功率密度、低噪声和低成本的系统。该器件在 85°C 环境温度下可提供 1.5W 的典型输出功率。高精度双输出电压可通过电阻分压器轻松设置，从而实现 SiC/IGBT ...
WB 宽带射频变压器
采用 TO-247 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管- 采用 TO-247 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
30 V、200 mA 轴向通用信号肖特基二极管 通用金属硅二极管具有极低的开启电压和快速开关功能。这些设备具有针对静电放电等过电压的集成保护- 30 V、200 mA 轴向通用信号肖特基二极管 通用金属硅二极管具有极低的开启电压和快速开关功能。这些设备具有针对静电放电等过电压的集成保护
采用STM32C091单片机的TSD 240x240分辨率旋转旋钮显示屏 TSD TFT产品型号TSS013004A-AD是一款1.3英寸、240x240分辨率的IPS圆形TFT液晶显示屏，采用STM32C091单片机，兼容方形AD板，并新增USB转UART接口，方便使用PC进行UART测试。这款1.3英寸旋钮式显示屏非常适合智能家居应用，例如咖啡机、洗衣机、智能马桶、恒温器、空调控制器等。 ...
100V，231A增强型氮化镓功率晶体管
采用 DFN1212-4-HD 封装的 1mW 整流二极管 NT9003HDAE4S 是一款 1 mW 级整流二极管，专为 920 MHz、2.4 GHz 和 5.7 GHz 频段的微波无线电力传输 (WPT) 整流电路而优化。该二极管具有低正向电压和高反向电压，可在 WPT 整流电路中实现宽动态范围和高效率。此外，该二极管采用小型 DFN 封装，可实现紧凑的安装空间。- 采用 DFN1212-4-HD 封装的 1mW 整流二极管 NT9002HDAE4S 是一款 1 mW 级整流二极管，专为 920 MHz、2.4 GHz 和 5.7 GHz 频段的微波无线电力传输 (WPT) 整流电路而优化。该二极管具有低正向电压和高反向电压，可在 WPT 整流电路中实现宽动态范围和高效率。此外，该二极管采用小型 DFN 封装，可实现紧凑的安装空间。
- 采用 DFN1212-4-HD 封装的 1W 整流二极管 NT9001HDAE4S 是一款 1W 级整流二极管，专为 920MHz、2.4GHz 和 5.7GHz 频段的微波无线电力传输 (WPT) 整流电路而优化。该二极管具有低正向电压和高反向电压，可在 WPT 整流电路中实现宽动态范围和高效率。此外，该二极管采用小型 DFN 封装，可实现紧凑的安装空间。
- 采用 DFN1212-4-HD 封装的 1W 整流二极管 NT9000HDAE4S 是一款 1W 级整流二极管，专为 920MHz、2.4GHz 和 5.7GHz 频段的微波无线电力传输 (WPT) 整流电路而优化。该二极管具有低正向电压和高反向电压，从而在 WPT 整流电路中实现宽动态范围和高效率。此外，该二极管采用小型 DFN 封装，可实现紧凑的安装空间。
低 I sub Q /sub 、双路、两相同步降压控制器，适用于采用 40 引脚 QFN 封装（6mm x 6mm，塑料面可润湿）的 GaN FET。 LTC7890 是一款高性能双降压直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输入电压最高可达 100 V。LTC7890 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比，LTC7890 ...
100V 低 I sub Q /sub 同步升压控制器，适用于采用 28 引脚 QFN 封装（4mm x 5mm，塑料面可润湿）的 GaN FET。 LTC7893 是一款高性能升压型直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输出电压最高可达 100V。LTC7893 解决了传统使用 GaN FET 时面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比，LTC7893 ...- 低 I sub Q /sub 、双路、两相同步升压控制器，适用于采用 40 引脚 QFN 封装（6mm x 6mm，塑料面可润湿）的 GaN FET。 LTC7892 是一款高性能双路升压 DC-DC 开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输出电压高达 100V。LTC7892 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比，LTC7892 ...
- 100V、低I sub Q /sub 、同步降压控制器，适用于采用28引脚QFN封装（4mm x 5mm，塑料面可润湿）的GaN FET。 LTC7891 是一款高性能降压型直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输入电压最高可达 100 V。LTC7891 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比，LTC7891 ...
N沟道小信号MOSFET，30V，SOT-23封装