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8A 场镀 SBR 场镀超势垒整流器，采用 PowerDI-5 封装 这款场镀超势垒整流二极管 (SBR FP) 非常适合需要超低阻断模式的应用，从而降低工作温度并提高系统可靠性。采用坚固耐用的行业标准 PowerDI 5 封装。
SMAF封装的3A场镀SBR场镀超势垒整流器 这款场镀超势垒整流二极管 (SBR FP) 非常适合需要超低阻断模式的应用，从而降低工作温度并提高系统可靠性。采用坚固耐用的行业标准 SMAF 封装。
- 2A场镀SBR场镀超势垒整流器，SMAF封装 这款场镀超势垒整流二极管 (SBR FP) 非常适合需要超低阻断模式的应用，从而降低工作温度并提高系统可靠性。采用坚固耐用的行业标准 SMAF 封装。
2A 场镀 SBR 场镀超势垒整流器，采用 PowerDI123 封装 这款超强势垒整流器 (SBR) 二极管非常适合需要超低阻断模式的应用，从而降低工作温度并提高系统可靠性。它采用紧凑高效的 PowerDI 123 封装。应用领域包括：极性保护二极管、DC/DC 转换器、AC/DC 适配器、反激二极管和循环二极管。
微型继电器 2 极 - 1 至 2 A 用于信号切换
采用 TO247-4 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
采用 TO247-3 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。- 采用 TO247-3 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
800W 内部预匹配 GaN HEMT，SOT-1214B 封装 CLF09H4LS800P 是一款 800 W 内部预匹配的射频 GaN HEMT 功率晶体管，可在 902 MHz 至 928 MHz 的频率范围内使用。 范围 价值 制造商 安普隆 类型 射频氮化镓高电子迁移率晶体管，内部预匹配 技术 氮化镓/碳化硅 工作频率 902–928 MHz 输出功率 800瓦 供电电压 50伏 排水效率 高达 81.8% CW 功率增益 在 928 MHz 频率下最高可达 17.4 dB 包裹 ...
采用 32-VQFN (5x5) 封装的 BiCD 恒流两相双极步进电机驱动器 IC
30A，150V，汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装- 30A、100V、汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
- 30A、90V，汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
- 30A、50V 汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
- 30A、45V，汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
- 30A、35V，汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
- 30A、60V 汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
- 900V N沟道SiC MOSFET，采用TO247-3封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
3W立体声差分输入D类放大器，带记忆功能和音量上下控制，SO-16L封装 替代部件：PAM8019E PAM8408 是一款无滤波器的 D 类放大器，具有高信噪比和差分输入，有助于消除噪声。先进的 32 级音量调节功能可最大限度地减少外部元件，并允许控制扬声器音量。芯片处于关断模式时，增益将保持不变。 PAM8408 支持 2.5V 至 6V 的工作电压，非常适合最多 4 节碱性电池的应用。 PAM8408 ...
75ns、3A、800V、DO-201AD封装高效恢复整流器