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LF53464-08TMR — Datasheet Littelfuse
角度位置传感器
Littelfuse
LF53464
LF53464-08TMR
LGA8L 封装的全极磁角度传感器 LF53464 全极磁角度传感器是一款高精度磁性角度测量传感器,可在 X 和 Y 轴方向进行 0 至 360 度测量,并具有热漂移补偿功能,确保在恶劣环境和条件下保持高性能。LF53464 在 200 Gs 至 800 Gs 的施加磁场下,可实现 0.6 度以下的低角度误差。LF53464 采用 LGA8L 封装。
LF53464 — Datasheet Littelfuse
角度位置传感器
Littelfuse
LF53464
LGA8L 封装的全极磁角度传感器 LF53464 全极磁角度传感器是一款高精度磁性角度测量传感器,可在 X 和 Y 轴方向进行 0 至 360 度测量,并具有热漂移补偿功能,确保在恶劣环境和条件下保持高性能。LF53464 在 200 Gs 至 800 Gs 的施加磁场下,可实现 0.6 度以下的低角度误差。LF53464 采用 LGA8L 封装。
LF53466 — Datasheet Littelfuse
角度位置传感器
Littelfuse
LF53466
采用 TSSOP8 封装的全极磁角度传感器 LF53466 全极磁角度传感器是一款高精度磁性角度测量传感器,可在 X 和 Y 轴方向进行 0 至 360 度测量,并具有热漂移补偿功能,确保在恶劣环境和条件下也能保持高性能。LF53466 在 200 Gs 至 800 Gs 的施加磁场下,可实现 0.8 度以下的低角度误差。LF53466 采用 TSSOP8 封装。
LF53466-08TMR — Datasheet Littelfuse
角度位置传感器
Littelfuse
LF53466
LF53466-08TMR
采用 TSSOP8 封装的全极磁角度传感器 LF53466 全极磁角度传感器是一款高精度磁性角度测量传感器,可在 X 和 Y 轴方向进行 0 至 360 度测量,并具有热漂移补偿功能,确保在恶劣环境和条件下也能保持高性能。LF53466 在 200 Gs 至 800 Gs 的施加磁场下,可实现 0.8 度以下的低角度误差。LF53466 采用 TSSOP8 封装。
Si4936DY — Datasheet Vishay
FET、MOSFET 阵列和模块
Vishay
Si4936DY
双 N 通道 30V (DS) MOSFET
PMV65XP,215 — Datasheet Nexperia
单FET、MOSFET
Nexperia
PMV65XP
PMV65XP,215
20 V,单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管(FET)。
PMV65XPVL — Datasheet Nexperia
单FET、MOSFET
Nexperia
PMV65XP
PMV65XPVL
20 V,单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管(FET)。
PMV65XP — Datasheet Nexperia
单FET、MOSFET
Nexperia
PMV65XP
20 V,单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管(FET)。
PMV65XP — Datasheet NXP
单FET、MOSFET
NXP
PMV65XP
20 V,单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管(FET)。
PMV65UNEAR — Datasheet Nexperia
单FET、MOSFET
Nexperia
PMV65UNEA
PMV65UNEAR
20 V,N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管(FET)。
PMV65UNEA — Datasheet Nexperia
单FET、MOSFET
Nexperia
PMV65UNEA
20 V,N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管(FET)。
PMV65ENEAR — Datasheet Nexperia
单FET、MOSFET
Nexperia
PMV65ENEA
PMV65ENEAR
40 V,N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管(FET)。
PMV65ENEA — Datasheet Nexperia
单FET、MOSFET
Nexperia
PMV65ENEA
40 V,N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管(FET)。
PMV65XPER — Datasheet Nexperia
单FET、MOSFET
Nexperia
PMV65XPE
PMV65XPER
20 V,P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管(FET)。
PMV65XPE — Datasheet Nexperia
单FET、MOSFET
Nexperia
PMV65XPE
20 V,P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管(FET)。
PMV65XPEAR — Datasheet Nexperia
单FET、MOSFET
Nexperia
PMV65XPEA
PMV65XPEAR
20 V,P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管(FET)。
PMV65XPEA — Datasheet Nexperia
单FET、MOSFET
Nexperia
PMV65XPEA
20 V,P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管(FET)。
74AC169SC — Datasheet Fairchild
柜台,分频器
Fairchild
74AC169
74AC169SC
4级同步双向计数器 AC169 是一款完全同步的 4 级加/减计数器。AC169 是一个模 16 二进制计数器。它具有预设功能,可进行可编程操作;具有进位预测功能,可轻松实现级联;以及一个用于控制计数方向的 U/D 输入。所有状态变化,无论是计数还是并行加载,均由时钟信号从低电平到高电平的转换触发。
74AC169SJ — Datasheet Fairchild
柜台,分频器
Fairchild
74AC169
74AC169SJ
4级同步双向计数器 AC169 是一款完全同步的 4 级加/减计数器。AC169 是一个模 16 二进制计数器。它具有预设功能,可进行可编程操作;具有进位预测功能,可轻松实现级联;以及一个用于控制计数方向的 U/D 输入。所有状态变化,无论是计数还是并行加载,均由时钟信号从低电平到高电平的转换触发。
74AC169MTC — Datasheet Fairchild
柜台,分频器
Fairchild
74AC169
74AC169MTC
4级同步双向计数器 AC169 是一款完全同步的 4 级加/减计数器。AC169 是一个模 16 二进制计数器。它具有预设功能,可进行可编程操作;具有进位预测功能,可轻松实现级联;以及一个用于控制计数方向的 U/D 输入。所有状态变化,无论是计数还是并行加载,均由时钟信号从低电平到高电平的转换触发。
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