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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET in SOT-23 (TO-236) package- 高精度稳压器
1.0 A，80 V，DO-41封装肖特基二极管- 1.0 A，60 V，DO-41封装肖特基二极管
- 1.0 A，50 V，DO-41封装肖特基二极管
- 1.0 A，40 V，DO-41封装肖特基二极管
- 1.0 A，30 V，DO-41封装肖特基二极管
- 1.0 A，20 V，DO-41封装肖特基二极管
- 1.0 A，100 V，DO-41封装肖特基二极管
- 双极功率通用晶体管 低频功率放大器与UTC 2SD649/A互补对
- 双极功率通用晶体管 低频功率放大器与UTC 2SD669/A互补对
- 具有高速 PWM 和 CAN 灵活数据速率 (CAN FD) 的 16 位数字信号控制器
FlatPAK HC0 封装传输模塑功率模块半桥 - 功率 MOSFET，200 A
完整的麦克风信号调节器，带可变压缩和噪声门控功能，采用 14 引脚 SOIC 封装 SSM2166 为计算机音频系统中的麦克风输入信号处理提供了一套完整而灵活的解决方案。它也非常适合用于提升通信和公共广播系统中的语音清晰度。低噪声压控放大器 (VCA) 提供由控制环路动态调节的增益，以保持设定的压缩特性。压缩比由单个电阻器设定，并可相对于用户定义的旋转点在 1:1 到 15:1 以上范围内变化；高于旋转点的信号将被限制，以防止过载和消除爆音。在 1:1 压缩设置下，SSM2166 ...
140V、低 IQ、同步降压控制器，可编程 5V 至 10V 栅极驱动，采用 28 引脚 QFN 封装（4mm x 5mm x 0.75mm，带 EP）。 LTC7897 是一款高性能、100% 占空比的同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步硅金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 功率级。同步整流可提高效率、降低功率损耗，并通过减少散热需求简化应用设计。 LTC7897 ...
DO-35封装的小信号齐纳二极管（DO-204AH）
采用 V-DFN3030-8（R 型）封装的单通道智能负载开关 DML1012ALDSQ 是一款单通道负载开关，采用小型封装，具有极低的导通电阻。它包含一个 n 沟道 MOSFET，可在高达 VBIAS – 1.5V 的输入电压下工作，并提供 6A 的电流通道，偏置电压范围为 3.2V 至 5.5V。该负载开关通过 ON 引脚上的低压控制信号进行控制。
采用 WLCSP-12 (1.67x1.67) 封装的 100V 半桥 GaN 驱动器，带智能集成自举开关 LT8418 是一款 100V 半桥 GaN 驱动器，集成了上下驱动级、驱动逻辑控制和保护功能。它可配置为同步半桥、全桥拓扑结构，或降压、升压和升降压拓扑结构。LT8418 具有强大的电流源/吸收能力，上拉电阻为 0.6Ω，下拉电阻为 0.2Ω。此外，它还集成了智能自举开关，可从 VCC 生成具有最小压降的平衡自举电压。 LT8418 提供分栅驱动器，用于调节 GaN FET ...
汽车级、四通道、高压、低失调、轨到轨输入输出运算放大器，采用 TSSOP-14 封装 TLV197-Q1、TLV2197-Q1 和 TLV4197-Q1 (TLVx197-Q1) 系列器件属于新一代低成本、36V、车规级运算放大器。TLVx197-Q1 系列采用封装级微调方法，在塑料成型工艺后的最后制造步骤中，对失调和失调温度漂移进行微调。这种方法最大限度地减少了输入晶体管固有失配以及封装成型过程中引入的误差的影响。 ...
汽车级、双通道、高压、高精度、RRIO运算放大器，采用VSSOP-8封装 TLV197-Q1、TLV2197-Q1 和 TLV4197-Q1 (TLVx197-Q1) 系列器件属于新一代低成本、36V、车规级运算放大器。TLVx197-Q1 系列采用封装级微调方法，在塑料成型工艺后的最后制造步骤中，对失调和失调温度漂移进行微调。这种方法最大限度地减少了输入晶体管固有失配以及封装成型过程中引入的误差的影响。 该系列产品具有良好的直流精度和交流性能（包括轨到轨输入/输出）、优化的成本结构以及 ...