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1. JX4S0040R065M — Datasheet JX Semiconductor
   单FET、MOSFET JX Semiconductor JX4S0040R065M
   

   采用 TO247-4 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
2. JX3S0040065M — Datasheet JX Semiconductor
   单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0040065M
   

   采用 TO247-3 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。

3. JX0320R065MT3 — Datasheet JX Semiconductor
   单FET、MOSFET JX Semiconductor JX0320R065MT3
   

   采用 TO247-3 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
4. CLF09H4LS800PU — Datasheet Ampleon
   单FET、MOSFET Ampleon CLF09H4LS800P CLF09H4LS800PU
   

   800W 内部预匹配 GaN HEMT，SOT-1214B 封装 CLF09H4LS800P 是一款 800 W 内部预匹配的射频 GaN HEMT 功率晶体管，可在 902 MHz 至 928 MHz 的频率范围内使用。 范围 价值 制造商 安普隆 类型 射频氮化镓高电子迁移率晶体管，内部预匹配 技术 氮化镓/碳化硅 工作频率 902–928 MHz 输出功率 800瓦 供电电压 50伏 排水效率 高达 81.8% CW 功率增益 在 928 MHz 频率下最高可达 17.4 dB 包裹 ...
5. TB67S531FTG(O,EL) — Datasheet Toshiba
   马达/运动/点火控制器和驱动器 Toshiba TB67S531FTG TB67S531FTG(O,EL)
   

   采用 32-VQFN (5x5) 封装的 BiCD 恒流两相双极步进电机驱动器 IC
6. MBR30150CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR30150CT
   

   30A，150V，汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
7. MBR30100CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR30100CT
   

   30A、100V、汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
8. MBR3090CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR3090CT
   

   30A、90V，汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
9. MBR3050CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
   二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR3050CT
   

   30A、50V 汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
10. MBR3045CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR3045CT
    

    30A、45V，汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
11. MBR3035CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR3035CT
    

    30A、35V，汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
12. MBR3060CT — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-整流器阵列 Taiwan Semiconductor MBR3060CT
    

    30A、60V 汽车级平面肖特基二极管，TO-220AB封装
13. JX3S0040090M — Datasheet JX Semiconductor
    单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0040090M
    

    900V N沟道SiC MOSFET，采用TO247-3封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
14. PAM8408DR — Datasheet Diodes
    音频放大器 Diodes PAM8408 PAM8408DR
    

    3W立体声差分输入D类放大器，带记忆功能和音量上下控制，SO-16L封装 替代部件：PAM8019E PAM8408 是一款无滤波器的 D 类放大器，具有高信噪比和差分输入，有助于消除噪声。先进的 32 级音量调节功能可最大限度地减少外部元件，并允许控制扬声器音量。芯片处于关断模式时，增益将保持不变。 PAM8408 支持 2.5V 至 6V 的工作电压，非常适合最多 4 节碱性电池的应用。 PAM8408 ...
15. HER307G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-单整流器 Taiwan Semiconductor HER307 HER307G
    

    75ns、3A、800V、DO-201AD封装高效恢复整流器
16. HER306G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-单整流器 Taiwan Semiconductor HER306 HER306G
    

    75ns、3A、600V、DO-201AD封装高效恢复整流器
17. HER305G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-单整流器 Taiwan Semiconductor HER305 HER305G
    

    50ns、3A、400V、高效恢复整流器，采用 DO-201AD 封装
18. HER304G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-单整流器 Taiwan Semiconductor HER304 HER304G
    

    50ns、3A、300V、DO-201AD封装高效恢复整流器
19. HER303G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-单整流器 Taiwan Semiconductor HER303 HER303G
    

    50ns、3A、200V、高效恢复整流器，采用 DO-201AD 封装
20. HER302G — Datasheet Taiwan Semiconductor
    二极管-单整流器 Taiwan Semiconductor HER302 HER302G
    

    50ns、3A、100V、高效恢复整流器，采用 DO-201AD 封装