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采用 1 mΩ SOICW-16 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...- 采用 1 mΩ SOICW-16 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOICW-16 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOICW-16 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOICW-16 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 采用 1 mΩ SOIC-8 封装的隔离式 500kHz TMR 电流传感器 CT4022 采用 SOIC-8 封装，CT4032 采用 SOICW-16 封装，均为 500 kHz 超低噪声 TMR 电流传感器。与传统霍尔效应传感器相比，CT4022 可将集成噪声水平降低高达 15 倍。 这些 TMR 传感器采用差分设计，可抑制共模场，从而消除杂散磁场。两种封装的初级导体电阻均为 1 ...
- 表面贴装肖特基整流器 封装：DO-214AC（SMA） 特征： 薄型封装 非常适合自动放置 保护环用于过压保护 低功耗、高效率 高正向浪涌能力 符合 MSL 1 级、J-STD-020、LF 最大峰值 260°C 带有后缀“Q”的零件编号表示符合 AEC-Q101 认证
- 表面贴装肖特基整流器 封装：DO-214AC（SMA） 特征： 薄型封装 非常适合自动放置 保护环用于过压保护 低功耗、高效率 高正向浪涌能力 符合 MSL 1 级、J-STD-020、LF 最大峰值 260°C 带有后缀“Q”的零件编号表示符合 AEC-Q101 认证
- 表面贴装肖特基整流器 封装：DO-214AC（SMA） 特征： 薄型封装 非常适合自动放置 保护环用于过压保护 低功耗、高效率 高正向浪涌能力 符合 MSL 1 级、J-STD-020、LF 最大峰值 260°C 带有后缀“Q”的零件编号表示符合 AEC-Q101 认证
- 双N沟道增强模式功率MOSFET 先进的功率 MOSFET 采用先进的加工技术，实现低导通电阻、极其高效且经济高效的设备，最适合用于锂离子电池充电和放电开关。 TSSOP8 封装普遍用于所有商业工业应用。 特征： • 低导通电阻 • RDS(ON) = 27 mΩ 最大值。（VGS = 4.5V，ID = 6A） • RDS(ON) = 35 mΩ 最大值。（VGS = 2.5V，ID = 5A） • 共漏型