Datasheets - 光耦合器/光耦合器 Vishay
小节: "光耦合器/光耦合器"
制造商: "Vishay"
制造商
Broadcom CEL Everlight Fairchild First Silicon Honeywell Lite-On ON Semiconductor OSRAM PerkinElmer Renesas Sharp Toshiba Vishay系列
6N135 6N136 BPV11F IL300 SFH6700 SFH6701 SFH6702 SFH6705 SFH6711 SFH6712 SFH6719 TCET1100 TCET1100G VOH1016AB VOH1016AD VOH1016AG搜索结果: 16 输出量: 1-16
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- 高速光电耦合器，1 MBd，带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器，与集成光电探测器进行光学耦合，该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。
- 高速光电耦合器，1 MBd，带晶体管输出的光电二极管 6N135 和 6N136 是带有 GaAIAs 红外发射二极管的光电耦合器，与集成光电探测器进行光学耦合，该光电探测器由采用 DIP-8 塑料封装的光电二极管和高速晶体管组成。
硅 NPN 光电晶体管，符合 RoHS 标准
光耦合器，光电晶体管输出，高温- 光耦合器，光电晶体管输出，高温
- 线性光电耦合器，高增益稳定性，宽带宽
高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，1 MBd，施密特触发器
- 高速光耦合器，1 MBd，施密特触发器
- 高速光耦合器，1 MBd，施密特触发器
排序方式: 关联 / 日期