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晶体管输出光电耦合器
Datasheets - 晶体管输出光电耦合器
小节: "
晶体管输出光电耦合器
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半导体类
光电子学
光耦合器/光耦合器
晶体管输出光电耦合器
制造商
Avago Technologies
Broadcom
Fairchild
Toshiba
Vishay
搜索结果:
165
输出量:
1-20
视图:
清单
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MOC8104 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8104
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8104-X016 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8104
MOC8104-X016
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8104-X019T — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8104
MOC8104-X019T
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8104 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8104
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8103 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8103
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8103-X001 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8103
MOC8103-X001
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8103 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8103
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8102-X009 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8102
MOC8102-X009
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8102-X016 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8102
MOC8102-X016
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8102-X017T — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8102
MOC8102-X017T
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8102 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8102
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8102-X006 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8102
MOC8102-X006
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8101 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8101
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8101-X017T — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8101
MOC8101-X017T
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
MOC8101 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
MOC8101
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装,与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接,从而显着提高了共模抗扰度。
SFH6156-2 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
SFH6156
SFH6156-2
光耦合器、光电晶体管输出、高可靠性、5300 V RMS SFH6156 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合,并集成在塑料 SMD 封装中。 耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输。
SFH6156-3 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
SFH6156
SFH6156-3
光耦合器、光电晶体管输出、高可靠性、5300 V RMS SFH6156 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合,并集成在塑料 SMD 封装中。 耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输。
SFH6156-4 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
SFH6156
SFH6156-4
光耦合器、光电晶体管输出、高可靠性、5300 V RMS SFH6156 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合,并集成在塑料 SMD 封装中。 耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输。
SFH6156-1T — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
SFH6156
SFH6156-1T
光耦合器、光电晶体管输出、高可靠性、5300 V RMS SFH6156 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合,并集成在塑料 SMD 封装中。 耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输。
SFH6156-2T — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
SFH6156
SFH6156-2T
光耦合器、光电晶体管输出、高可靠性、5300 V RMS SFH6156 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合,并集成在塑料 SMD 封装中。 耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输。
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