Datasheets - 晶体管输出光电耦合器
小节: "晶体管输出光电耦合器"
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- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、高可靠性、5300 V RMS SFH6156 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合，并集成在塑料 SMD 封装中。 耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输。
光继电器（MOSFET 输出，1-form-a） TLP3475W 光继电器由光耦合到红外 LED 的光电 MOSFET 组成。它采用 WSON4 封装。 TLP3475W 具有低 CR 乘积和极低的导通电阻，因此可提供高导通电流。此外，TLP3475W 具有较低的高频信号插入损耗，从而防止快速上升信号的衰减。 TLP3475W 还具有低断态电流和低输出引脚电容的特点，使其适合高频测量仪器应用。- 光耦合器，光电晶体管输出，高可靠性，5300 VRMS SFH610A 和 SFH6106 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有一个 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管检测器光学耦合，并集成在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。
- 光耦合器，光电晶体管输出，高可靠性，5300 VRMS SFH610A 和 SFH6106 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有一个 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管检测器光学耦合，并集成在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。
光继电器（MOSFET 输出，1-form-b）
光继电器（MOSFET 输出，1-form-b）
光继电器（MOSFET输出，1-form-a）- 光继电器（MOSFET输出，1-form-a）
- 光继电器（MOSFET输出，1-form-a）
- 光继电器（MOSFET输出，1-form-a）
光继电器（MOSFET输出，1-form-a）- 光继电器（MOSFET输出，1-form-a）
- 光继电器（MOSFET输出，1-form-a）
光继电器（MOSFET输出，1-form-a）- 光继电器（MOSFET输出，1-form-a）
- 光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流，SOP-4，微型平板封装 特征： 符合AEC-Q101 高CTR和低输入电流 低功耗