Datasheets - 晶体管输出光电耦合器
小节: "晶体管输出光电耦合器"
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光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
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光耦合器、光电晶体管输出、高可靠性、5300 V RMS SFH6156 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合，并集成在塑料 SMD 封装中。 耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输。- 光耦合器、光电晶体管输出、高可靠性、5300 V RMS SFH6156 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合，并集成在塑料 SMD 封装中。 耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输。
- 光耦合器、光电晶体管输出、高可靠性、5300 V RMS SFH6156 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合，并集成在塑料 SMD 封装中。 耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输。
- 光耦合器、光电晶体管输出、高可靠性、5300 V RMS SFH6156 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合，并集成在塑料 SMD 封装中。 耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输。
- 光耦合器、光电晶体管输出、高可靠性、5300 V RMS SFH6156 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合，并集成在塑料 SMD 封装中。 耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输。