Datasheets - 光耦合器/光耦合器 - 2
小节: "光耦合器/光耦合器"
制造商
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- 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
- 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
- 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
- 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
- 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
- 低压降（LDO）线性稳压器
光电耦合器 TLP5814H 是一款高度集成的栅极驱动光电耦合器，采用 8 引脚 SO8L 封装，爬电距离和电气间隙均为 8 mm。该栅极驱动光电耦合器提供 +6.8 / -4.8 A 的最大峰值输出电流，并支持轨到轨输出，从而实现系统稳定运行和更佳的开关性能。内置有源米勒箝位功能有助于避免功率器件的自导通现象，使 TLP5814H 非常适合驱动 SiC-MOSFET 和 IGBT。- 硅NPN光电晶体管
- 硅NPN光电晶体管
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- 塑料硅红外光电晶体管 QSE113/114 是一种硅光电晶体管，采用广角、红外透明、黑色塑料侧视封装。
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- 交流输入光电耦合器
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