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AP2337SA-7 — Datasheet Diodes
端口交换机
Diodes
AP2337
AP2337SA-7
1.0A 单通道限流负载开关 AP2337 是一款单通道限流集成式高端电源开关,专为热插拔应用优化。该器件具有快速短路响应时间,可提升整体系统稳健性,并为高容性负载和可能出现短路的应用提供完整的保护解决方案。它提供反向电流阻断、过流、过温和短路保护,以及控制 ℃ 上升时间和欠压锁定功能。该器件采用 SOT23 封装。
ZXRE252ASA-7 — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZXRE252
ZXRE252ASA-7
三端子可调分流稳压器具有出色的温度稳定性和高达 100mA 的输出电流处理能力 NRND = 不推荐用于新设计 通过选择两个外部分压电阻,可将输出电压设置为 2.5 至 36 V 之间的任意电压。ZXRE250 的电气规格与行业标准 '431 相同,但其最小阴极电流非常低,便于稳压。40µA 的典型值使其成为极低功耗应用的理想选择。在许多需要提升齐纳性能的应用中,这些器件可用作齐纳二极管的替代品。ZXRE250/2 提供两种等级,A 级和 B 级的初始公差分别为 1% 和 0.5%。
ZXRE252BSA-7 — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZXRE252
ZXRE252BSA-7
三端子可调分流稳压器具有出色的温度稳定性和高达 100mA 的输出电流处理能力 NRND = 不推荐用于新设计 通过选择两个外部分压电阻,可将输出电压设置为 2.5 至 36 V 之间的任意电压。ZXRE250 的电气规格与行业标准 '431 相同,但其最小阴极电流非常低,便于稳压。40µA 的典型值使其成为极低功耗应用的理想选择。在许多需要提升齐纳性能的应用中,这些器件可用作齐纳二极管的替代品。ZXRE250/2 提供两种等级,A 级和 B 级的初始公差分别为 1% 和 0.5%。
DMP3099L-7 — Datasheet Diodes
单FET、MOSFET
Diodes
DMP3099L
DMP3099L-7
P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
DMP3099L-13 — Datasheet Diodes
单FET、MOSFET
Diodes
DMP3099L
DMP3099L-13
P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
ZR40402F41TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZR4040-4.1
ZR40402F41TA
4.096V 低拐点电流电压参考 NRND = 不推荐用于新设计 ZR4040-4.1 使用带隙电路设计来实现 4.1 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合注重节省空间的应用,以及通孔封装。ZR4040-4.1 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。ZR4040-4.1 建议在 60µA 和 15mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 ...
ZR40401F41TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZR4040-4.1
ZR40401F41TA
4.096V 低拐点电流电压参考 NRND = 不推荐用于新设计 ZR4040-4.1 使用带隙电路设计来实现 4.1 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合注重节省空间的应用,以及通孔封装。ZR4040-4.1 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。ZR4040-4.1 建议在 60µA 和 15mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 ...
ZR40402F50TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZR4040-5
ZR40402F50TA
3.3V 低拐点电流电压参考 NRND = 不推荐用于新设计 ZR4040-5.0 使用带隙电路设计来实现 5.0 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合注重节省空间的应用,以及通孔封装。ZR4040-5.0 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。ZR4040-5.0 建议在 60µA 和 15mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 ...
ZR40401F50TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZR4040-5
ZR40401F50TA
3.3V 低拐点电流电压参考 NRND = 不推荐用于新设计 ZR4040-5.0 使用带隙电路设计来实现 5.0 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合注重节省空间的应用,以及通孔封装。ZR4040-5.0 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。ZR4040-5.0 建议在 60µA 和 15mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 ...
ZR40401F25TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZR4040-2.5
ZR40401F25TA
2.5V 低拐点电流电压参考 ZR4040-2.5 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合注重节省空间的应用,以及通孔封装。ZR4040-2.5 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。ZR4040-2.5 建议在 60µA 和 15mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
ZR40402F25TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZR4040-2.5
ZR40402F25TA
2.5V 低拐点电流电压参考 ZR4040-2.5 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合注重节省空间的应用,以及通孔封装。ZR4040-2.5 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。ZR4040-2.5 建议在 60µA 和 15mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
ZR404005F25TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZR4040-2.5
ZR404005F25TA
2.5V 低拐点电流电压参考 ZR4040-2.5 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合注重节省空间的应用,以及通孔封装。ZR4040-2.5 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。ZR4040-2.5 建议在 60µA 和 15mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
ZHT431F01TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZHT431
ZHT431F01TA
低拐点电流 2.5 可调分流稳压器 ZHT431 是一款三端可调分流稳压器,具有出色的温度稳定性和高达 100mA 的输出电流处理能力。该器件提供扩展的工作温度范围,工作温度范围为 -55 至 +125°C。通过选择两个外部分压电阻,可将输出电压设置为 2.5 至 20 伏之间的任意电压。
ZHT431F02TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZHT431
ZHT431F02TA
低拐点电流 2.5 可调分流稳压器 ZHT431 是一款三端可调分流稳压器,具有出色的温度稳定性和高达 100mA 的输出电流处理能力。该器件提供扩展的工作温度范围,工作温度范围为 -55 至 +125°C。通过选择两个外部分压电阻,可将输出电压设置为 2.5 至 20 伏之间的任意电压。
ZHT431FMTA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZHT431
ZHT431FMTA
低拐点电流 2.5 可调分流稳压器 ZHT431 是一款三端可调分流稳压器,具有出色的温度稳定性和高达 100mA 的输出电流处理能力。该器件提供扩展的工作温度范围,工作温度范围为 -55 至 +125°C。通过选择两个外部分压电阻,可将输出电压设置为 2.5 至 20 伏之间的任意电压。
BAS70-06-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-06
BAS70-06-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-05-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-05
BAS70-05-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-04-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-04
BAS70-04-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-04Q-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-04
BAS70-04Q-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-04Q-13-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-04
BAS70-04Q-13-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
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