Datasheets

Image search: Image search
搜索结果: 16 输出量: 1-16

视图: 清单 / 图片

  1. Datasheet STMicroelectronics STM32G030J6M6
    主流高性价比 Arm Cortex-M0+ MCU,配备 32 KB 闪存、8 KB RAM、64 MHz CPU、2 个 USART 接口、定时器、ADC、通信接口,采用 SO-8 封装,工作电压 2-3.6V。 STM32G030x6/x8 主流微控制器基于高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 内核,运行频率高达 64 MHz。它们具有高度集成性,适用于消费电子、工业和家电领域的各种应用,并可用于物联网 (IoT) 解决方案。 这些器件集成了内存保护单元 ...
  2. Datasheet Hiliwi Technology HLW8032
    单相计量集成电路,SOP8封装
  1. Datasheet ON Semiconductor NCV33039DR2
    高性能闭环速度控制适配器,适用于无刷直流电机控制系统,采用SOIC-8封装 NCV前缀适用于汽车及其他需要现场和变更控制的应用。
  2. Datasheet Renesas M51923FP
    这款双电压比较器IC采用SOP-8封装,专为模拟信号比较、阈值检测和电源监控应用而设计。 该器件可在宽单电源电压范围内工作,具有低功耗,并提供与 TTL/CMOS 逻辑系列兼容的输出。
  3. Datasheet VBsemi IRF4435TRPBF-VB
    采用 SOP8 封装的 P 沟道 30V (DS) MOSFET 它具有高载流能力和低导通电阻,特别适用于功率开关和电路控制。
  4. Datasheet VBsemi IRF4435TR-VB
    采用 SOP8 封装的高性能 P 沟道 MOSFET 这款 MOSFET 的漏源耐压为 -30V,漏极电流处理能力高达 -9A。其低导通电阻和良好的电流处理能力使其非常适合用于各种开关和电源管理应用。IRF4435TR-VB 尤其适用于需要低导通电阻和高效率的负载开关和电源转换应用。
  5. Datasheet Vishay Si4936DY
    双 N 通道 30V (DS) MOSFET
  6. Datasheet NXP TEA1501T/N1,118
    采用 8-SOIC(0.295 英寸,7.50 毫米宽)封装的 GreenChip SMPS 控制器 IC TEA1501 是 GreenChip 系列的低功耗成员,专为待机开关电源 (SMPS) 应用而设计。TEA1501 集成了高效低成本电源所需的所有功能,适用于 90 V 至 276 V 交流通用输入。TEA1501 是单片集成电路,采用 SO8 封装。该设计采用 BCD_PowerLogic750 工艺, 包括高压开关装置。TEA1501 仅使用 7 ...
  7. Datasheet Analog Devices AD790JRZ
    快速、精密比较器
  8. Datasheet Analog Devices AD8561ARZ
    超快7 ns单电源比较器
  9. Datasheet Analog Devices AD8611ARZ
    8引脚、超快4 ns单电源比较器
  10. Datasheet Analog Devices LTC1541CS8#PBF
    微功率运算放大器、比较器和基准
  11. Datasheet Analog Devices LTC1542CS8#PBF
    微功率运算放大器、比较器和基准
  12. Datasheet Linear Technology LTC1541CS8#PBF
    微功率运算放大器、比较器和基准
  13. Datasheet Linear Technology LTC1542CS8#PBF
    微功率运算放大器、比较器和基准
  14. Datasheet Texas Instruments LM385M-1.2
    微功耗参考二极管8-SOIC 0至70