Datasheets
Image search: Image search 
搜索结果: 40 输出量: 1-20
视图: 清单 / 图片
- Zero Loss Automatic X Capacitor Rapid Discharge IC in SO-8 package When AC voltage is applied, the CAP400DG IC blocks current flow through the X capacitor safety discharge resistors, reducing the power loss to less than 0.75 mW at 230 VAC. When AC ...
- 低功耗、25Mbps 中速、双通道数字隔离器，采用 SOIC8-N 封装 东芝CMOS技术和磁耦合结构赋予了产品卓越的性能。此外，它们符合UL 1577标准，并具有3000Vrms的耐压隔离电压。这些产品可在-40至125℃的温度范围内工作，并可在2.25至5.5V的宽电源电压范围内工作。
- 低功耗、25Mbps 中速、双通道数字隔离器，采用 SOIC8-N 封装 东芝CMOS技术和磁耦合结构赋予了产品卓越的性能。此外，它们符合UL 1577标准，并具有3000Vrms的耐压隔离电压。这些产品可在-40至125℃的温度范围内工作，并可在2.25至5.5V的宽电源电压范围内工作。
- 低功耗、25Mbps 中速、双通道数字隔离器，采用 SOIC8-N 封装 东芝CMOS技术和磁耦合结构赋予了产品卓越的性能。此外，它们符合UL 1577标准，并具有3000Vrms的耐压隔离电压。这些产品可在-40至125℃的温度范围内工作，并可在2.25至5.5V的宽电源电压范围内工作。
- 低功耗、25Mbps 中速、双通道数字隔离器，采用 SOIC8-N 封装 东芝CMOS技术和磁耦合结构赋予了产品卓越的性能。此外，它们符合UL 1577标准，并具有3000Vrms的耐压隔离电压。这些产品可在-40至125℃的温度范围内工作，并可在2.25至5.5V的宽电源电压范围内工作。
- 低功耗、25Mbps 中速、双通道数字隔离器，采用 SOIC8-N 封装 东芝CMOS技术和磁耦合结构赋予了产品卓越的性能。此外，它们符合UL 1577标准，并具有3000Vrms的耐压隔离电压。这些产品可在-40至125℃的温度范围内工作，并可在2.25至5.5V的宽电源电压范围内工作。
- 低功耗、25Mbps 中速、双通道数字隔离器，采用 SOIC8-N 封装 东芝CMOS技术和磁耦合结构赋予了产品卓越的性能。此外，它们符合UL 1577标准，并具有3000Vrms的耐压隔离电压。这些产品可在-40至125℃的温度范围内工作，并可在2.25至5.5V的宽电源电压范围内工作。
- 低功耗、25Mbps 中速、双通道数字隔离器，采用 SOIC8-N 封装 东芝CMOS技术和磁耦合结构赋予了产品卓越的性能。此外，它们符合UL 1577标准，并具有3000Vrms的耐压隔离电压。这些产品可在-40至125℃的温度范围内工作，并可在2.25至5.5V的宽电源电压范围内工作。
- 低功耗、25Mbps 中速、双通道数字隔离器，采用 SOIC8-N 封装 东芝CMOS技术和磁耦合结构赋予了产品卓越的性能。此外，它们符合UL 1577标准，并具有3000Vrms的耐压隔离电压。这些产品可在-40至125℃的温度范围内工作，并可在2.25至5.5V的宽电源电压范围内工作。
- 主流高性价比 Arm Cortex-M0+ MCU，配备 32 KB 闪存、8 KB RAM、64 MHz CPU、2 个 USART 接口、定时器、ADC、通信接口，采用 SO-8 封装，工作电压 2-3.6V。 STM32G030x6/x8 主流微控制器基于高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 内核，运行频率高达 64 MHz。它们具有高度集成性，适用于消费电子、工业和家电领域的各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。 这些器件集成了内存保护单元 ...
- 主流高性价比 Arm Cortex-M0+ MCU，配备 32 KB 闪存、8 KB RAM、64 MHz CPU、2 个 USART 接口、定时器、ADC、通信接口，采用 SO-8 封装，工作电压 2-3.6V。 STM32G030x6/x8 主流微控制器基于高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 内核，运行频率高达 64 MHz。它们具有高度集成性，适用于消费电子、工业和家电领域的各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。 这些器件集成了内存保护单元 ...
- 单相计量集成电路，SOP8封装
- 高性能闭环速度控制适配器，适用于无刷直流电机控制系统，采用SOIC-8封装 NCV前缀适用于汽车及其他需要现场和变更控制的应用。
- 高性能闭环速度控制适配器，适用于无刷直流电机控制系统，采用SOIC-8封装 NCV前缀适用于汽车及其他需要现场和变更控制的应用。
- 这款双电压比较器IC采用SOP-8封装，专为模拟信号比较、阈值检测和电源监控应用而设计。 该器件可在宽单电源电压范围内工作，具有低功耗，并提供与 TTL/CMOS 逻辑系列兼容的输出。
- 采用 SOP8 封装的 P 沟道 30V (DS) MOSFET 它具有高载流能力和低导通电阻，特别适用于功率开关和电路控制。
- 采用 SOP8 封装的高性能 P 沟道 MOSFET 这款 MOSFET 的漏源耐压为 -30V，漏极电流处理能力高达 -9A。其低导通电阻和良好的电流处理能力使其非常适合用于各种开关和电源管理应用。IRF4435TR-VB 尤其适用于需要低导通电阻和高效率的负载开关和电源转换应用。
- 双 N 通道 30V (DS) MOSFET
- 采用 8-SOIC（0.295 英寸，7.50 毫米宽）封装的 GreenChip SMPS 控制器 IC TEA1501 是 GreenChip 系列的低功耗成员，专为待机开关电源 (SMPS) 应用而设计。TEA1501 集成了高效低成本电源所需的所有功能，适用于 90 V 至 276 V 交流通用输入。TEA1501 是单片集成电路，采用 SO8 封装。该设计采用 BCD_PowerLogic750 工艺， 包括高压开关装置。TEA1501 仅使用 7 ...
- 采用 8-SOIC（0.295 英寸，7.50 毫米宽）封装的 GreenChip SMPS 控制器 IC TEA1501 是 GreenChip 系列的低功耗成员，专为待机开关电源 (SMPS) 应用而设计。TEA1501 集成了高效低成本电源所需的所有功能，适用于 90 V 至 276 V 交流通用输入。TEA1501 是单片集成电路，采用 SO8 封装。该设计采用 BCD_PowerLogic750 工艺， 包括高压开关装置。TEA1501 仅使用 7 ...
