Datasheets - 光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor

小节: "光耦合器/光耦合器"
制造商: "ON Semiconductor"
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  1. 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
  2. 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
  1. 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
  2. 6 针 DIP 高压光电晶体管输出光电耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 均为光电晶体管型光耦合光隔离器。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
  3. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  4. 6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离,其性能类似于理想的隔离 FET,专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  5. 8引脚SOIC单通道光电晶体管输出光电耦合器

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