Datasheets - 门驱动器 Efficient Power Conversion
小节: "门驱动器"
制造商: "Efficient Power Conversion"
制造商
Analog Devices Diodes Efficient Power Conversion GaNPower International Infineon International Rectifier IXYS Linear Technology Microchip Renesas STMicroelectronics Texas Instruments Toshiba TRINAMIC搜索结果: 11 输出量: 1-11
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100 V、65 A ePower 芯片组 与 EPC2302 配对以形成高达 65 A 的功率级 集成半桥驱动器，电平转换， 自举和高边 FET 功率级负载电流 (1 MHz)，65 A 最大输入电压，100 V
80 V，12.5 A ePower级 额定输出电流（1 MHZ）（1），12.5 A 工作PWM频率范围（2），3 MHz 工作输入电压范围，60 V 偏置电源电压，12 V 输出电流和PWM频率额定值是工作条件的函数
- 80 V，12.5 A ePower级 额定输出电流（1 MHZ）（1），12.5 A 工作PWM频率范围（2），3 MHz 工作输入电压范围，60 V 偏置电源电压，12 V 输出电流和PWM频率额定值是工作条件的函数
- 80 V增强模式GaN功率晶体管半桥
- 60 V增强模式GaN功率晶体管半桥
200 V，10 A集成栅极驱动器eGaN IC
双路150 V，5 A集成栅极驱动器eGaN IC- 双路150 V，5 A集成栅极驱动器eGaN IC
- 200 V，10 A集成栅极驱动器eGaN IC
- 80 V增强模式GaN功率晶体管半桥
- 60 V增强模式GaN功率晶体管半桥
排序方式: 关联 / 日期