Datasheets - 9

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161. SK32A — Datasheet First Silicon
     肖特基二极管与整流器 First Silicon SK3 SK32A
     电压 20V ~ 100V，3.0 安培表面贴装肖特基势垒整流器
162. PSMN9R0-30YL — Datasheet Nexperia
     单FET、MOSFET Nexperia PSMN9R0-30YL
     

     N沟道30 V 8 mΩ逻辑电平MOSFET，LFPAK封装 采用TrenchMOS技术的塑料封装逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为工业和通信应用而设计，并符合相关标准。

163. PC817 — Datasheet First Silicon
     光耦合器/光耦合器 First Silicon PC817
     1-通道晶体管输出型光电耦合器
164. MCH6613-TL-E — Datasheet ON Semiconductor
     单FET、MOSFET ON Semiconductor MCH6613 MCH6613-TL-E
     

     小信号 MOSFET，30V，0.35A，3.7Ω，-30V，-0.2A，10.4Ω，互补 MCPH6 过时的 MCH6613 是一款小信号 MOSFET，30V、0.35A、3.7Ω、-30V、-0.2A、10.4Ω，与 MCPH6 互补，适用于通用开关设备应用。
165. AP6A355QSP-13 — Datasheet Diodes
     DC / DC开关控制器和稳压器 Diodes AP6A355Q AP6A355QSP-13
     

     5.5V 至 100V 输入汽车级、3.5A 标准降压转换器 AP6A255Q/AP6A355Q 是一款内部补偿的标准 DC-DC 降压转换器，默认频率为 300kHz。该器件完全集成 500mΩ 高侧功率 MOSFET，可提供高效的降压 DC-DC 转换。 AP6A255Q/AP6A355Q 器件采用恒定导通时间 (COT) 控制来实现快速瞬态响应、轻松环路稳定和低输出电压纹波，从而最大限度地减少外部元件数量，易于使用。 AP6A255Q/AP6A355Q 设计针对降低电磁干扰 (EMI) ...
166. AP6A255QSP-13 — Datasheet Diodes
     DC / DC开关控制器和稳压器 Diodes AP6A255Q AP6A255QSP-13
     

     5.5V 至 100V 输入汽车级、2.5A 标准降压转换器 AP6A255Q/AP6A355Q 是一款内部补偿的标准 DC-DC 降压转换器，默认频率为 300kHz。该器件完全集成 500mΩ 高侧功率 MOSFET，可提供高效的降压 DC-DC 转换。 AP6A255Q/AP6A355Q 器件采用恒定导通时间 (COT) 控制来实现快速瞬态响应、轻松环路稳定和低输出电压纹波，从而最大限度地减少外部元件数量，易于使用。 AP6A255Q/AP6A355Q 设计针对降低电磁干扰 (EMI) ...
167. AP68355QSP-13 — Datasheet Diodes
     DC / DC开关控制器和稳压器 Diodes AP68355Q AP68355QSP-13
     

     5.5V 至 80V 输入汽车级、3.5A 标准降压转换器 AP68255Q/AP68355Q 是一款内部补偿的标准 DC-DC 降压转换器，默认频率为 300kHz。该器件完全集成 500mΩ 高侧功率 MOSFET，可提供高效的降压 DC-DC 转换。 AP68255Q/AP68355Q 器件采用恒定导通时间 (COT) 控制来实现快速瞬态响应、轻松环路稳定和低输出电压纹波，从而最大限度地减少外部元件数量，易于使用。 AP68255Q/AP68355Q 设计针对降低电磁干扰 (EMI) ...
168. AP68255QSP-13 — Datasheet Diodes
     DC / DC开关控制器和稳压器 Diodes AP68255Q AP68255QSP-13
     

     5.5V 至 80V 输入汽车级、2.5A 标准降压转换器 AP68255Q/AP68355Q 是一款内部补偿的标准 DC-DC 降压转换器，默认频率为 300kHz。该器件完全集成 500mΩ 高侧功率 MOSFET，可提供高效的降压 DC-DC 转换。 AP68255Q/AP68355Q 器件采用恒定导通时间 (COT) 控制来实现快速瞬态响应、轻松环路稳定和低输出电压纹波，从而最大限度地减少外部元件数量，易于使用。 AP68255Q/AP68355Q 设计针对降低电磁干扰 (EMI) ...
169. SMPJ2710 — Datasheet InterFET
     JFET InterFET J271 SMPJ2710
     P沟道JFET -30V InterFET J270 和 J271 JFET 适用于低噪声高增益放大器和开关应用。J270 的截止电压低于 2.0V，非常适合低电平电源。
170. SMPJ270TR — Datasheet InterFET
     JFET InterFET J270 SMPJ270TR
     P沟道JFET -30V InterFET J270 和 J271 JFET 适用于低噪声高增益放大器和开关应用。J270 的截止电压低于 2.0V，非常适合低电平电源。
171. J202 — Datasheet Fairchild
     双极型单晶体管 Fairchild J202
     

     采用 TO-92 封装的 N 沟道通用放大器
172. J201 — Datasheet Fairchild
     双极型单晶体管 Fairchild J201
     

     采用 TO-92 封装的 N 沟道通用放大器
173. MMBFJ202 — Datasheet Fairchild
     双极型单晶体管 Fairchild MMBFJ202
     

     采用 SOT-23 封装的 N 沟道通用放大器
174. MMBFJ201 — Datasheet Fairchild
     双极型单晶体管 Fairchild MMBFJ201
     

     采用 SOT-23 封装的 N 沟道通用放大器
175. OPA186DBVR — Datasheet Texas Instruments
     运算放大器-运算放大器 Texas Instruments OPA186 OPA186DBVR
     具有轨至轨输入和 o 的单路、24V、低功耗 (90 μA) 5 μV 偏移零漂移运算放大器 OPA186、OPA2186 和 OPA4186 (OPAx186) 均为低功耗、24 V、轨到轨输入和输出、零漂移运算放大器 (op amps)。这些运算放大器的失调电压（最大值）仅为 10 µV，且失调电压随温度变化的漂移仅为 0.04 µV/°C（最大值）。这些器件是精密仪器仪表、信号测量和有源滤波应用的理想选择。 90 µA 的低静态电流消耗使 OPAx186 ...
176. MMBTA42,215 — Datasheet Nexperia
     双极型单晶体管 Nexperia MMBTA42 MMBTA42,215
     

     NPN高压晶体管 采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装的 NPN 高压晶体管。
177. PE-63388NL — Datasheet Pulse Electronics
     变形金刚 Pulse Electronics PE-63388 PE-63388NL
     

     Mosfet栅极驱动变压器
178. PE-63386NL — Datasheet Pulse Electronics
     变形金刚 Pulse Electronics PE-63386 PE-63386NL
     

     Mosfet栅极驱动变压器
179. PE-63385NL — Datasheet Pulse Electronics
     变形金刚 Pulse Electronics PE-63385 PE-63385NL
     

     Mosfet栅极驱动变压器
180. PE-63387NL — Datasheet Pulse Electronics
     变形金刚 Pulse Electronics PE-63387 PE-63387NL
     

     Mosfet栅极驱动变压器