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  1. Memory FRAM 4M (512 K x 8) Bit SPI MB85RS4MTY is a FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 524,288 words x 8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile ...
  2. 内存FRAM 4M(512 K x 8)Bit SPI MB85RS4MTY是FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术,构成524,288字x 8位,用于形成非易失性存储单元。该产品针对高温环境应用。MB85RS4MTY采用串行外围设备接口(SPI)。
  3. 内存FRAM 4M(512 K x 8)Bit SPI MB85RS4MTY是FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术,构成524,288字x 8位,用于形成非易失性存储单元。该产品针对高温环境应用。MB85RS4MTY采用串行外围设备接口(SPI)。
  4. 内存FRAM 4M(512 K x 8)Bit SPI MB85RS4MTY是FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术,构成524,288字x 8位,用于形成非易失性存储单元。该产品针对高温环境应用。MB85RS4MTY采用串行外围设备接口(SPI)。
  1. 内存FRAM 4M(512K x 8)Bit SPI
  2. 内存FRAM 4M(512K x 8)Bit SPI
  3. 内存FRAM 4M(512K x 8)Bit SPI
  4. 内存FRAM 8M(512K×16)位
  5. 内存FRAM 8M(512K×16)位
  6. 内存FRAM 64K(8Kx8)Bit SPI
  7. 内存FRAM 64K(8Kx8)Bit SPI
  8. 内存FRAM 64K(8Kx8)Bit SPI
  9. 内存FRAM 64K(8Kx8)Bit SPI
  10. MR48V256C是采用硅栅CMOS技术制造的非易失性32,768字x 8位铁电随机存取存储器(FeRAM)。 由于FeRAM单元是非易失性的,因此可以省去备用电池来保存数据。 而且,可以像SRAM一样读写数据,无需擦除或块操作。 保证该器件的写入/读取容限为每位10 12 个周期,并且重写计数可以大大扩展。
  11. MR45V100A是采用硅栅CMOS技术制造的非易失性128K字x 8位铁电随机存取存储器(FeRAM)
  12. MR44V100A是采用硅栅CMOS技术制造的非易失性131,072字x 8位铁电随机存取存储器(FeRAM)