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Datasheets - 帧

小节: "帧"
制造商
Fujitsu LAPIS Semiconductor
搜索结果: 16 输出量: 1-16

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  1. MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85RS4MTY MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1
    内存FRAM 4M（512 K x 8）Bit SPI MB85RS4MTY是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术，构成524,288字x 8位，用于形成非易失性存储单元。该产品针对高温环境应用。MB85RS4MTY采用串行外围设备接口（SPI）。
  2. MB85RS4MTY — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85RS4MTY
    内存FRAM 4M（512 K x 8）Bit SPI MB85RS4MTY是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术，构成524,288字x 8位，用于形成非易失性存储单元。该产品针对高温环境应用。MB85RS4MTY采用串行外围设备接口（SPI）。
  1. MB85RS4MTYPF-G-BCERE1 — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85RS4MTY MB85RS4MTYPF-G-BCERE1
    内存FRAM 4M（512 K x 8）Bit SPI MB85RS4MTY是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术，构成524,288字x 8位，用于形成非易失性存储单元。该产品针对高温环境应用。MB85RS4MTY采用串行外围设备接口（SPI）。
  2. MB85RS4MTYPF-G-BCE1 — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85RS4MTY MB85RS4MTYPF-G-BCE1
    内存FRAM 4M（512 K x 8）Bit SPI MB85RS4MTY是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术，构成524,288字x 8位，用于形成非易失性存储单元。该产品针对高温环境应用。MB85RS4MTY采用串行外围设备接口（SPI）。
  3. MB85RS4MTPF-G-JNE2 — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85RS4MT MB85RS4MTPF-G-JNE2
    内存FRAM 4M（512K x 8）Bit SPI
  4. MB85RS4MTPF-G-JNERE2 — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85RS4MT MB85RS4MTPF-G-JNERE2
    内存FRAM 4M（512K x 8）Bit SPI
  5. MB85RS4MT — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85RS4MT
    内存FRAM 4M（512K x 8）Bit SPI
  6. MB85R8M2TPBS-M-JAE1 — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85R8M2T MB85R8M2TPBS-M-JAE1
    内存FRAM 8M（512K×16）位
  7. MB85R8M2T — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85R8M2T
    内存FRAM 8M（512K×16）位
  8. MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85RS64TU MB85RS64TUPNF-G-JNERE2
    内存FRAM 64K（8Kx8）Bit SPI
  9. MB85RS64TUPN-G-AMEWE1 — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85RS64TU MB85RS64TUPN-G-AMEWE1
    内存FRAM 64K（8Kx8）Bit SPI
  10. MB85RS64TU — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85RS64TU
    内存FRAM 64K（8Kx8）Bit SPI
  11. MB85RS64TUPNF-G-JNE2 — Datasheet Fujitsu
    帧 Fujitsu MB85RS64TU MB85RS64TUPNF-G-JNE2
    内存FRAM 64K（8Kx8）Bit SPI
  12. MR48V256C — Datasheet LAPIS Semiconductor
    帧 LAPIS Semiconductor MR48V256C
    MR48V256C是采用硅栅CMOS技术制造的非易失性32,768字x 8位铁电随机存取存储器（FeRAM）。 由于FeRAM单元是非易失性的，因此可以省去备用电池来保存数据。 而且，可以像SRAM一样读写数据，无需擦除或块操作。 保证该器件的写入/读取容限为每位10 12 个周期，并且重写计数可以大大扩展。
  13. MR45V100A — Datasheet LAPIS Semiconductor
    帧 LAPIS Semiconductor MR45V100A
    MR45V100A是采用硅栅CMOS技术制造的非易失性128K字x 8位铁电随机存取存储器（FeRAM）
  14. MR44V100A — Datasheet LAPIS Semiconductor
    帧 LAPIS Semiconductor MR44V100A
    MR44V100A是采用硅栅CMOS技术制造的非易失性131,072字x 8位铁电随机存取存储器（FeRAM）