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  1. 内存FRAM 4M(512K x 8)Bit SPI
  2. 内存FRAM 4M(512K x 8)Bit SPI
  3. 内存FRAM 4M(512K x 8)Bit SPI
  4. 内存FRAM 8M(512K×16)位
  1. 内存FRAM 8M(512K×16)位
  2. Memory FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  3. Memory FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  4. 内存FRAM 64K(8Kx8)Bit SPI
  5. Memory FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  6. MR48V256C是采用硅栅CMOS技术制造的非易失性32,768字x 8位铁电随机存取存储器(FeRAM)。 由于FeRAM单元是非易失性的,因此可以省去备用电池来保存数据。 而且,可以像SRAM一样读写数据,无需擦除或块操作。 保证该器件的写入/读取容限为每位10 12 个周期,并且重写计数可以大大扩展。
  7. MR45V100A是采用硅栅CMOS技术制造的非易失性128K字x 8位铁电随机存取存储器(FeRAM)
  8. MR44V100A是采用硅栅CMOS技术制造的非易失性131,072字x 8位铁电随机存取存储器(FeRAM)