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LGA8L 封装的全极磁角度传感器 LF53464 全极磁角度传感器是一款高精度磁性角度测量传感器，可在 X 和 Y 轴方向进行 0 至 360 度测量，并具有热漂移补偿功能，确保在恶劣环境和条件下保持高性能。LF53464 在 200 Gs 至 800 Gs 的施加磁场下，可实现 0.6 度以下的低角度误差。LF53464 采用 LGA8L 封装。- 采用 TSSOP8 封装的全极磁角度传感器 LF53466 全极磁角度传感器是一款高精度磁性角度测量传感器，可在 X 和 Y 轴方向进行 0 至 360 度测量，并具有热漂移补偿功能，确保在恶劣环境和条件下也能保持高性能。LF53466 在 200 Gs 至 800 Gs 的施加磁场下，可实现 0.8 度以下的低角度误差。LF53466 采用 TSSOP8 封装。
双 N 通道 30V (DS) MOSFET
20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。- 20 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 40 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 20 V，P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 20 V，P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 4级同步双向计数器 AC169 是一款完全同步的 4 级加/减计数器。AC169 是一个模 16 二进制计数器。它具有预设功能，可进行可编程操作；具有进位预测功能，可轻松实现级联；以及一个用于控制计数方向的 U/D 输入。所有状态变化，无论是计数还是并行加载，均由时钟信号从低电平到高电平的转换触发。
蓝牙转串口模块- 基于 Arm Cortex-M4 RISC 的 32 位通用微控制器 GD32E103xx 器件属于 GD32 MCU 系列的连接产品线。它是一款基于 Arm Cortex -M4 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在增强的处理能力、更低的功耗和丰富的外设组合方面具有最佳的性价比。Cortex -M4 内核实现了完整的 DSP 指令集，以满足数字信号控制市场对高效、易用的控制和信号处理功能的需求。它还提供强大的跟踪技术，以增强应用程序的安全性并提供高级调试支持。 GD32E103xx ...
贴片功率电感 • 铁氧体鼓芯结构。 • 磁屏蔽。 • 长×宽×高：5.1×5.1×3.0 毫米（最大）。 • 产品重量：212mg（参考） • 湿度敏感度等级：1 • 符合RoHS标准。 • 工作温度范围：-40℃~+105℃ • （包括线圈自身温升） • 储存温度范围：-40℃～+105℃ • 非常适合用作移动电话、PDA、MP3、HDD、DSC/DVC、笔记本电脑等的DC-DC转换器电感器。- 贴片功率电感 • 铁氧体鼓芯结构。 • 磁屏蔽。 • 长×宽×高：5.1×5.1×3.0 毫米（最大）。 • 产品重量：212mg（参考） • 湿度敏感度等级：1 • 符合RoHS标准。 • 工作温度范围：-40℃~+105℃ • （包括线圈自身温升） • 储存温度范围：-40℃～+105℃ • 非常适合用作移动电话、PDA、MP3、HDD、DSC/DVC、笔记本电脑等的DC-DC转换器电感器。
SOD-123，30V，0.5A，肖特基二极管- SOD-123，20V，0.5A，肖特基二极管
- SOD-123，40V，0.5A，肖特基二极管
- I²C 可编程任意频率CMOS时钟发生器+VCXO Si5351 是一款 I2C 可配置时钟发生器，非常适合在成本敏感型应用中替代晶体、晶体振荡器、VCXO、锁相环 (PLL) 和扇出缓冲器。Si5351 基于 PLL/VCXO + 高分辨率 MultiSynth 小数分频器架构，可在每个输出上产生高达 200 MHz 的任意频率，且误差为 0 ppm。Si5351 提供三种版本，以满足各种应用需求。 适用于各种应用。Si5351A 使用内部振荡器生成多达 8 ...
- I²C 可编程任意频率CMOS时钟发生器+VCXO Si5351 是一款 I2C 可配置时钟发生器，非常适合在成本敏感型应用中替代晶体、晶体振荡器、VCXO、锁相环 (PLL) 和扇出缓冲器。Si5351 基于 PLL/VCXO + 高分辨率 MultiSynth 小数分频器架构，可在每个输出上产生高达 200 MHz 的任意频率，且误差为 0 ppm。Si5351 提供三种版本，以满足各种应用需求。 适用于各种应用。Si5351A 使用内部振荡器生成多达 8 ...
- 磁继电器和 SSR 的混合实现了 10A 开关，可进行 1000 万次操作 与 PTF-08-PU Push-In Plus 插座结合使用时，可减少 60% 的接线工作（根据实际 OMRON 测量）。 UL/CSA 认证（-美国型号）。 使用三端双向可控硅开关元件打开和关闭电路可减少颤动和电弧，从而将电气耐久性提高到 1000 万次操作。 无需散热器，紧凑的机身内配备高容量的电源接点和10A开关继电器触点。而且，几乎不会对发热和环境温度产生影响。 操作指示器可轻松检查操作情况。 ...