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- 单片数字立体声调频发射器芯片式电台 KT0803L 是我们新一代低成本单片数字调频发射机，专为处理高保真立体声音频信号和短距离发射调制调频信号而设计。它基于屡获殊荣的 KT0801 架构，也是 KT0803K 和 KT0803M 的升级版。KT0803L 的新增功能包括：软件待机模式、自动电平控制 (ALC)、多参考时钟、更高的信噪比 (SNR) 性能和更佳的频率响应。 KT0803L 具有双 20 位 ΔΣ 音频 ADC、高保真数字立体声音频处理器和完全集成的射频 (RF) ...
采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流
采用QFN-24封装的高性能低功耗先进数字电视硅调谐器 R820T2 是一款高度集成的硅调谐器，内置低噪声放大器 (LNA)、混频器、分数锁相环 (PLL)、VGA、稳压器和跟踪滤波器，无需外部 SAW 滤波器、LNA、平衡-不平衡转换器 (balun) 和低压差线性稳压器 (LDO)。得益于 LNA 架构，R820T 为数字电视应用提供了成本最低、性能最高的解决方案。片上 LDO、高性能 LNA 和小尺寸封装使 R820T 成为对成本和尺寸要求都较高的应用的理想选择。 这款电视棒采用USB ...- 采用QFN-24封装的高性能低功耗先进数字电视硅调谐器 R820T2是一款功能全面的调谐器集成电路，专为软件定义无线电（SDR）应用而设计。该集成电路广泛应用于SDR设备中，可在宽频率范围内提供高效的调谐和接收功能。 R820T2 是一款高度集成的硅调谐器，内置低噪声放大器 (LNA)、混频器、分数锁相环 (PLL)、VGA、稳压器和跟踪滤波器，无需外部 SAW 滤波器、LNA、平衡-不平衡转换器 (balun) 和低压差线性稳压器 (LDO)。得益于 LNA 架构，R820T ...
DVB-T COFDM 解调器 + USB 2.0，QFN-48 封装 RTL2832U 是一款高性能 DVB-T COFDM 解调器，支持 USB 2.0 接口。RTL2832U 兼容 NorDig Unified 1.0.3、D-Book 5.0 和 EN300 744（ETSI 规范）。它支持 2K 或 8K 模式，带宽分别为 6MHz、7MHz 和 8MHz。调制参数（例如码率和保护间隔）可自动检测。 RTL2832U 支持中频 (IF，36.125MHz)、低中频 ...
Микроконтроллер Optimal+ 是 ARM Cortex-M33 的核心
Riedon精密绕线温度传感器
采用 TO-274AA 封装的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)，带有超快软恢复二极管。 IGBT NPT 1200V 105A 595W 通孔 SUPER-247 (TO-274AA)。电机控制组件 IGBT。已停产，产品已过时。 替代型号：IKQ50N120CT2
汽车级 N 沟道 80 V (DS) 175 °C MOSFET
P沟道100V（DS）MOSFET 无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET
CdS光敏电阻 光敏电阻是一种由半导体材料制成的电阻器，其电导率随光照变化而变化。利用此特性，光敏电阻可以制成不同的形状和照射面积。光敏电阻广泛应用于玩具、灯具、相机等行业。- 具有DOT校正和灰度PWM控制的增强型产品16通道LED驱动器28-HTSSOP -40至125
单 N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench MOSFET 30V、5.0A、40mΩ 该单 N 沟道 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺设计，以优化特殊 MicroFET 引线框架上的 RDS(on) @VGS=2.5V。
肖特基 Zetex 低泄漏肖特基二极管系列的这一新成员采用 SOD523 封装，具有理想的低 VF/IR 性能，且封装高度低至 0.9 毫米，使该器件适用于各种转换器、充电器和 °C 驱动器电路。
肖特基- 这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、再循环二极管和开关二极管。
- 肖特基
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具有 64 字节 TX/RX FIFO 的汽车 I2C 总线/SPI 至 UART 桥接控制器 PI7C9X762Q 是一款 I2C 总线/SPI 转双通道高性能 UART 桥接控制器。它提供高达 33Mbps 的数据速率，并保证低工作和休眠电流。PI7C9X762Q 还具有多达 8 个额外的可编程通用 I/O [GPIO] 引脚。该器件采用极小的 TQFN32 封装，非常适合经济高效的手持式电池供电应用。这些 UART 桥接器提供从 I2C 总线或 SPI 到 ...
50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W，50 °C 外壳温度，安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广：0.010 Ω 至 450 kΩ