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汽车级 N 沟道 80 V (DS) 175 °C MOSFET
P沟道100V（DS）MOSFET 无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET
CdS光敏电阻 光敏电阻是一种由半导体材料制成的电阻器，其电导率随光照变化而变化。利用此特性，光敏电阻可以制成不同的形状和照射面积。光敏电阻广泛应用于玩具、灯具、相机等行业。- 具有DOT校正和灰度PWM控制的增强型产品16通道LED驱动器28-HTSSOP -40至125
单 N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench MOSFET 30V、5.0A、40mΩ 该单 N 沟道 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺设计，以优化特殊 MicroFET 引线框架上的 RDS(on) @VGS=2.5V。
肖特基 Zetex 低泄漏肖特基二极管系列的这一新成员采用 SOD523 封装，具有理想的低 VF/IR 性能，且封装高度低至 0.9 毫米，使该器件适用于各种转换器、充电器和 °C 驱动器电路。
肖特基- 这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、再循环二极管和开关二极管。
- 肖特基
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具有 64 字节 TX/RX FIFO 的汽车 I2C 总线/SPI 至 UART 桥接控制器 PI7C9X762Q 是一款 I2C 总线/SPI 转双通道高性能 UART 桥接控制器。它提供高达 33Mbps 的数据速率，并保证低工作和休眠电流。PI7C9X762Q 还具有多达 8 个额外的可编程通用 I/O [GPIO] 引脚。该器件采用极小的 TQFN32 封装，非常适合经济高效的手持式电池供电应用。这些 UART 桥接器提供从 I2C 总线或 SPI 到 ...
50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W，50 °C 外壳温度，安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广：0.010 Ω 至 450 kΩ
LGA8L 封装的全极磁角度传感器 LF53464 全极磁角度传感器是一款高精度磁性角度测量传感器，可在 X 和 Y 轴方向进行 0 至 360 度测量，并具有热漂移补偿功能，确保在恶劣环境和条件下保持高性能。LF53464 在 200 Gs 至 800 Gs 的施加磁场下，可实现 0.6 度以下的低角度误差。LF53464 采用 LGA8L 封装。- 采用 TSSOP8 封装的全极磁角度传感器 LF53466 全极磁角度传感器是一款高精度磁性角度测量传感器，可在 X 和 Y 轴方向进行 0 至 360 度测量，并具有热漂移补偿功能，确保在恶劣环境和条件下也能保持高性能。LF53466 在 200 Gs 至 800 Gs 的施加磁场下，可实现 0.8 度以下的低角度误差。LF53466 采用 TSSOP8 封装。
双 N 通道 30V (DS) MOSFET
20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。- 20 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 40 V，N沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 N 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 20 V，P沟道沟槽MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。