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1. JX4S0020120M — Datasheet JX Semiconductor
   单FET、MOSFET JX Semiconductor JX4S0020120M
   

   1200V N沟道SiC MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
2. JX3S0080120M — Datasheet JX Semiconductor
   单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0080120M
   

   1200V N沟道 MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。

3. JX3S0040120M — Datasheet JX Semiconductor
   单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0040120M
   

   1200V N沟道SiC MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
4. JX3S0040R120MC — Datasheet JX Semiconductor
   单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0040R120MC
   

   1200V、40Ω、碳化硅 MOSFET，采用 TO-247-3L 封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
5. ASC100N1200MT3 — Datasheet JX Semiconductor
   单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0020120M ASC100N1200MT3
   

   1200V、100A、16Ω、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
6. JX3S0020120M — Datasheet JX Semiconductor
   单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0020120M
   

   1200V、100A、16Ω、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
7. ASC40N1700MT3 — Datasheet JX Semiconductor
   单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0040170M ASC40N1700MT3
   

   1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
8. JX3S0040170M — Datasheet JX Semiconductor
   单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0040170M
   

   1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
9. JX4S0040R120M — Datasheet JX Semiconductor
   单FET、MOSFET JX Semiconductor JX4S0040R120M
   

   1200V、60A、45mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
10. JX3S0750170M — Datasheet JX Semiconductor
    单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0750170M
    

    1700V SiC N沟道 MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更高的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
11. JX3S0070R170M — Datasheet JX Semiconductor
    单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0070R170M
    

    1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
12. JX4S0150R330M — Datasheet JX Semiconductor
    单FET、MOSFET JX Semiconductor JX4S0150R330M
    

    3300V SiC N沟道 MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
13. JX3S0040065M — Datasheet JX Semiconductor
    单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0040065M
    

    采用 TO247-3 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
14. JX0320R065MT3 — Datasheet JX Semiconductor
    单FET、MOSFET JX Semiconductor JX0320R065MT3
    

    采用 TO247-3 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
15. JX3S0040090M — Datasheet JX Semiconductor
    单FET、MOSFET JX Semiconductor JX3S0040090M
    

    900V N沟道SiC MOSFET，采用TO247-3封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
16. SiHFP450N — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay SiHFP450N
    

    TO-247封装的功率MOSFET
17. SiHFP450N-E3 — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay SiHFP450N SiHFP450N-E3
    

    TO-247封装的功率MOSFET
18. IRFP450N — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay IRFP450N
    

    TO-247封装的功率MOSFET
19. IRFP450NPbF — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay IRFP450N IRFP450NPbF
    

    TO-247封装的功率MOSFET
20. TIP36C — Datasheet STMicroelectronics
    双极型单晶体管 STMicroelectronics TIP36C
    

    采用 TO-247 封装的 PNP 功率晶体管 与 TIP35C 互补