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1. IRFP064PBF — Datasheet Vishay
   单FET、MOSFET Vishay IRFP064 IRFP064PBF
   

   采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-247AC封装是商业和工业应用中的首选，因为在这些应用中，较高的功率水平限制了TO-220AB器件的使用。 TO-247AC封装与早期的TO-218封装类似，但因其独立的安装孔而更胜一筹。此外，它还提供了更大的引脚间爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。
2. IXFH26N50 — Datasheet Inchange Semiconductor
   单FET、MOSFET Inchange Semiconductor IXFH26N50
   

   采用 TO-247 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管 特征 漏极电流：ID= 26A@ TC=25℃ 漏源电压：VDSS= 500V（最小值） 静态漏源导通电阻：RDS(on) = 0.2Ω（最大值）@ VGS = 10V 100% 雪崩测试 最小批次间差异，确保设备性能稳定可靠

3. IRFP460PBF — Datasheet Vishay
   单FET、MOSFET Vishay IRFP460 IRFP460PBF
   

   TO-247封装的功率MOSFET 特征 动态 dV/dt 额定值 重复雪崩评级 隔离式中央安装孔
4. STW9NK9SZ — Datasheet STMicroelectronics
   单FET、MOSFET STMicroelectronics STW9NK9SZ
   

   N沟道900V、1.1Ω、8A、TO-220、TO-220FP、D2PAK、TO-247封装的齐纳保护SuperMESH功率MOSFET