Datasheets - FET、MOSFET 阵列和模块 Fortune Semiconductor

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1. FS8205A — Datasheet Fortune Semiconductor
   FET、MOSFET 阵列和模块 Fortune Semiconductor FS8205A
   双N沟道增强模式功率MOSFET 先进的功率 MOSFET 采用先进的加工技术，实现低导通电阻、极其高效且经济高效的设备，最适合用于锂离子电池充电和放电开关。 TSSOP8 封装普遍用于所有商业工业应用。 特征： • 低导通电阻 • RDS(ON) = 27 mΩ 最大值。（VGS = 4.5V，ID = 6A） • RDS(ON) = 35 mΩ 最大值。（VGS = 2.5V，ID = 5A） • 共漏型
2. FS8205 — Datasheet Fortune Semiconductor
   FET、MOSFET 阵列和模块 Fortune Semiconductor FS8205
   双N沟道增强模式功率MOSFET 先进的功率MOSFET利用先进的处理技术来实现低导通电阻，极其有效且具有成本效益的器件，最适合锂离子电池的充放电开关。 SOT23-6封装普遍用于所有工业应用。应用：锂离子电池保护电路。