Datasheets - 门驱动器 Diodes

小节: "门驱动器"

制造商: "Diodes"

制造商

Analog Devices Diodes Efficient Power Conversion GaNPower International Infineon International Rectifier IXYS Linear Technology Microchip Renesas STMicroelectronics Texas Instruments Toshiba TRINAMIC

系列

DGD2003 DGD2005 DGD2012 DGD2136 ZXGD3009DY ZXGD3009E6

搜索结果: 13 输出量: 1-13

视图: 清单 / 图片

DGD2012 — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes DGD2012
So-8中的高侧和低侧栅极驱动器 DGD2012是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2012成为可能
DGD2012S8-13 — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes DGD2012 DGD2012S8-13
So-8中的高侧和低侧栅极驱动器 DGD2012是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2012成为可能

DGD2012 — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes DGD2012
So-8中的高侧和低侧栅极驱动器 DGD2012是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2012成为可能
DGD2005 — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes DGD2005
So-8中的高侧和低侧栅极驱动器 DGD2005是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2005成为可能
DGD2005S8-13 — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes DGD2005 DGD2005S8-13
So-8中的高侧和低侧栅极驱动器 DGD2005是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2005成为可能
DGD2005 — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes DGD2005
So-8中的高侧和低侧栅极驱动器 DGD2005是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2005成为可能
DGD2003 — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes DGD2003
DGD2003是一款高压/高速栅极驱动器，具有以下特性：
DGD2003S8-13 — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes DGD2003 DGD2003S8-13
DGD2003是一款高压/高速栅极驱动器，具有以下特性：
DGD2003 — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes DGD2003
DGD2003是一款高压/高速栅极驱动器，具有以下特性：
DGD2136S28-13 — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes DGD2136 DGD2136S28-13
So28中的三相半桥栅极驱动器
DGD2136 — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes DGD2136
So28中的三相半桥栅极驱动器
ZXGD3009E6TA — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes ZXGD3009E6 ZXGD3009E6TA
SOT26中的40 V，1 A栅极驱动器专门设计用于控制大电流功率MOSFET
ZXGD3009DYTA — Datasheet Diodes
门驱动器 Diodes ZXGD3009DY ZXGD3009DYTA
SOT363中的40 V，1 A栅极驱动器专门设计用于控制大电流功率MOSFET

排序方式: 关联 / 日期

联络人