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S10053/-01DT — Datasheet Hamamatsu
光电二极管
Hamamatsu
S10053/-01DT
光调制光集成电路 这些光调制光电集成电路专为在干扰背景光下进行光同步检测而开发。光电二极管、前置放大器、比较器、振荡器、LED驱动器和信号处理电路等均集成在单片光电集成电路芯片上。只需将外部LED连接到该光电集成电路,即可轻松配置对干扰背景光不敏感的光同步型光反射器和光断路器。我们独特的电路设计实现了10000 lx(典型值)的允许背景光强度(S4282-51、S6986、S10053/-01DT)和0.2 µW/ mm² (典型值)的最小检测水平(S6809、S6846、S7136/-10)。
S7136/-10 — Datasheet Hamamatsu
光电二极管
Hamamatsu
S7136/-10
光调制光集成电路 这些光调制光电集成电路专为在干扰背景光下进行光同步检测而开发。光电二极管、前置放大器、比较器、振荡器、LED驱动器和信号处理电路等均集成在单片光电集成电路芯片上。只需将外部LED连接到该光电集成电路,即可轻松配置对干扰背景光不敏感的光同步型光反射器和光断路器。我们独特的电路设计实现了10000 lx(典型值)的允许背景光强度(S4282-51、S6986、S10053/-01DT)和0.2 µW/ mm² (典型值)的最小检测水平(S6809、S6846、S7136/-10)。
S6986 — Datasheet Hamamatsu
光电二极管
Hamamatsu
S6986
光调制光集成电路 这些光调制光电集成电路专为在干扰背景光下进行光同步检测而开发。光电二极管、前置放大器、比较器、振荡器、LED驱动器和信号处理电路等均集成在单片光电集成电路芯片上。只需将外部LED连接到该光电集成电路,即可轻松配置对干扰背景光不敏感的光同步型光反射器和光断路器。我们独特的电路设计实现了10000 lx(典型值)的允许背景光强度(S4282-51、S6986、S10053/-01DT)和0.2 µW/ mm² (典型值)的最小检测水平(S6809、S6846、S7136/-10)。
S6809 — Datasheet Hamamatsu
光电二极管
Hamamatsu
S6809
光调制光集成电路 这些光调制光电集成电路专为在干扰背景光下进行光同步检测而开发。光电二极管、前置放大器、比较器、振荡器、LED驱动器和信号处理电路等均集成在单片光电集成电路芯片上。只需将外部LED连接到该光电集成电路,即可轻松配置对干扰背景光不敏感的光同步型光反射器和光断路器。我们独特的电路设计实现了10000 lx(典型值)的允许背景光强度(S4282-51、S6986、S10053/-01DT)和0.2 µW/ mm² (典型值)的最小检测水平(S6809、S6846、S7136/-10)。
S4282-51 — Datasheet Hamamatsu
光电二极管
Hamamatsu
S4282-51
光调制光集成电路 这些光调制光电集成电路专为在干扰背景光下进行光同步检测而开发。光电二极管、前置放大器、比较器、振荡器、LED驱动器和信号处理电路等均集成在单片光电集成电路芯片上。只需将外部LED连接到该光电集成电路,即可轻松配置对干扰背景光不敏感的光同步型光反射器和光断路器。我们独特的电路设计实现了10000 lx(典型值)的允许背景光强度(S4282-51、S6986、S10053/-01DT)和0.2 µW/ mm² (典型值)的最小检测水平(S6809、S6846、S7136/-10)。
S6846 — Datasheet Hamamatsu
光电二极管
Hamamatsu
S6846
光调制光集成电路 这些光调制光电集成电路专为在干扰背景光下进行光同步检测而开发。光电二极管、前置放大器、比较器、振荡器、LED驱动器和信号处理电路等均集成在单片光电集成电路芯片上。只需将外部LED连接到该光电集成电路,即可轻松配置对干扰背景光不敏感的光同步型光反射器和光断路器。我们独特的电路设计实现了10000 lx(典型值)的允许背景光强度(S4282-51、S6986、S10053/-01DT)和0.2 µW/ mm² (典型值)的最小检测水平(S6809、S6846、S7136/-10)。
OED-EL-1L2 — Datasheet Lumex
红外线发射器
Lumex
OED-EL-1L2
T-5mm,940nm红外发射二极管,水透明透镜
PIC32CM6408PL10048-E/6MX — Datasheet Microchip
微控制器(MCU)
Microchip
PIC32CM PL10
PIC32CM6408PL10048
PIC32CM6408PL10048-E/6MX
适用于人机界面应用的 5V 低功耗 Arm Cortex-M0+ MCU PIC32CM6408PL10064 是 PIC32CM PL10 系列微控制器中的一员,采用 Arm Cortex-M0+ 内核,工作频率高达 24 MHz,工作电压范围为 1.8-5.5V。PIC32CM PL10 系列旨在实现电容式触摸感应功能,并且由于其 5V 工作电压,该器件可在汽车和工业等噪声较大的应用环境中运行。 PIC32CM-PL10 系列与 AVR Dx 系列 8 位 MCU ...
PIC32CM6408PL10032-E/QZB — Datasheet Microchip
微控制器(MCU)
Microchip
PIC32CM PL10
PIC32CM6408PL10032
PIC32CM6408PL10032-E/QZB
适用于人机界面应用的 5V 低功耗 Arm Cortex-M0+ MCU PIC32CM6408PL10064 是 PIC32CM PL10 系列微控制器中的一员,采用 Arm Cortex-M0+ 内核,工作频率高达 24 MHz,工作电压范围为 1.8-5.5V。PIC32CM PL10 系列旨在实现电容式触摸感应功能,并且由于其 5V 工作电压,该器件可在汽车和工业等噪声较大的应用环境中运行。 PIC32CM-PL10 系列与 AVR Dx 系列 8 位 MCU ...
PIC32CM6408PL10028-I/SS — Datasheet Microchip
微控制器(MCU)
Microchip
PIC32CM PL10
PIC32CM6408PL10028
PIC32CM6408PL10028-I/SS
适用于人机界面应用的 5V 低功耗 Arm Cortex-M0+ MCU PIC32CM6408PL10064 是 PIC32CM PL10 系列微控制器中的一员,采用 Arm Cortex-M0+ 内核,工作频率高达 24 MHz,工作电压范围为 1.8-5.5V。PIC32CM PL10 系列旨在实现电容式触摸感应功能,并且由于其 5V 工作电压,该器件可在汽车和工业等噪声较大的应用环境中运行。 PIC32CM-PL10 系列与 AVR Dx 系列 8 位 MCU ...
PIC32CM6408PL10064-E/5LX — Datasheet Microchip
微控制器(MCU)
Microchip
PIC32CM PL10
PIC32CM6408PL10064
PIC32CM6408PL10064-E/5LX
适用于人机界面应用的 5V 低功耗 Arm Cortex-M0+ MCU PIC32CM6408PL10064 是 PIC32CM PL10 系列微控制器中的一员,采用 Arm Cortex-M0+ 内核,工作频率高达 24 MHz,工作电压范围为 1.8-5.5V。PIC32CM PL10 系列旨在实现电容式触摸感应功能,并且由于其 5V 工作电压,该器件可在汽车和工业等噪声较大的应用环境中运行。 PIC32CM-PL10 系列与 AVR Dx 系列 8 位 MCU ...
IRF4435TRPBF-VB — Datasheet VBsemi
单FET、MOSFET
VBsemi
IRF4435TRPBF-VB
采用 SOP8 封装的 P 沟道 30V (DS) MOSFET 它具有高载流能力和低导通电阻,特别适用于功率开关和电路控制。
IRF4435TR-VB — Datasheet VBsemi
单FET、MOSFET
VBsemi
IRF4435TR-VB
采用 SOP8 封装的高性能 P 沟道 MOSFET 这款 MOSFET 的漏源耐压为 -30V,漏极电流处理能力高达 -9A。其低导通电阻和良好的电流处理能力使其非常适合用于各种开关和电源管理应用。IRF4435TR-VB 尤其适用于需要低导通电阻和高效率的负载开关和电源转换应用。
BUT56 — Datasheet Inchange Semiconductor
双极型单晶体管
Inchange Semiconductor
BUT56
TO-220封装的硅NPN功率晶体管
4N28 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
4N28
光耦合器,光电晶体管输出,带基极连接,采用 6 引脚双列直插封装 4N25系列是业界标准的单通道光电晶体管耦合器。该系列包括4N25、4N26、4N27和4N28。每个光耦合器均由砷化镓红外发光二极管和硅NPN光电晶体管组成。
4N27 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
4N27
光耦合器,光电晶体管输出,带基极连接,采用 6 引脚双列直插封装 4N25系列是业界标准的单通道光电晶体管耦合器。该系列包括4N25、4N26、4N27和4N28。每个光耦合器均由砷化镓红外发光二极管和硅NPN光电晶体管组成。
4N26 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
4N26
光耦合器,光电晶体管输出,带基极连接,采用 6 引脚双列直插封装 4N25系列是业界标准的单通道光电晶体管耦合器。该系列包括4N25、4N26、4N27和4N28。每个光耦合器均由砷化镓红外发光二极管和硅NPN光电晶体管组成。
4N25 — Datasheet Vishay
晶体管输出光电耦合器
Vishay
4N25
光耦合器,光电晶体管输出,带基极连接,采用 6 引脚双列直插封装 4N25系列是业界标准的单通道光电晶体管耦合器。该系列包括4N25、4N26、4N27和4N28。每个光耦合器均由砷化镓红外发光二极管和硅NPN光电晶体管组成。
SMDB3 — Datasheet STMicroelectronics
DIACs, SIDACs
STMicroelectronics
SMDB3
DIAC DB3/DB4 系列可用作具有固定电压基准的触发二极管,可与三端双向可控硅开关元件配合使用,以简化门控电路,或用作荧光灯镇流器的启动元件。 表面贴装 SOT23-3L 封装可实现紧凑的 SMD 设计,适用于自动化制造。
DB4 — Datasheet STMicroelectronics
DIACs, SIDACs
STMicroelectronics
DB4
DIAC DB3/DB4 系列可用作具有固定电压基准的触发二极管,可与三端双向可控硅开关元件配合使用,以简化门控电路,或用作荧光灯镇流器的启动元件。 表面贴装 SOT23-3L 封装可实现紧凑的 SMD 设计,适用于自动化制造。
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