Datasheet ON Semiconductor BSS123−G — 数据表

制造商ON Semiconductor
系列BSS123
零件号BSS123−G

N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 100V、170 mA、6Ω

数据表

Datasheet BSS123
PDF, 202 Kb, 语言: en, 文件上传: Nov 15, 2022, 页数: 7
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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价格

详细说明

这种 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。该产品旨在最大限度地降低导通电阻,同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。BSS123 特别适用于低电压、低电流应用,例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用.

模型线

系列: BSS123 (2)

制造商分类

  • Discrete & Power Modules > MOSFETs