Datasheet ON Semiconductor NVBG015N065SC1 — 数据表

制造商ON Semiconductor
系列NVBG015N065SC1
零件号NVBG015N065SC1

N沟道650V,12mΩ,D2PAK-7L碳化硅MOSFET

数据表

Datasheet NVBG015N065SC1
PDF, 346 Kb, 语言: en, 修订版: 2, 文件上传: Feb 24, 2021, 页数: 8
SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 650 V, 12 mW, 145 A
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价格

详细说明

碳化硅(SiC)MOSFET使用了一种全新的技术,与硅相比,它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的好处包括最高的效率,更快的工作频率,增加的功率密度,减少的EMI和减小的系统尺寸。

状态

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)

打包

PackageD2PAK7 (TO-263-7L HV)

生态计划

ComplianceAEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free

制造商分类

  • Wide Bandgap > Silicon Carbide (SiC) MOSFETs