Datasheet Motorola MTP2N50E — 数据表

制造商Motorola
系列MTP2N50E
零件号MTP2N50E

TMOS E-FET功率场效应晶体管-N沟道增强模式硅栅极-TMOS功率FET 2.0安培500伏RDS(on)= 3.6欧姆-案例221A–06,类型5,TO–220AB

数据表

Datasheet MTP2N50E
PDF, 253 Kb, 语言: en, 文件上传: Feb 12, 2021, 页数: 8
TMOS E-FET Power Field Effect Transistor - N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate - TMOS Power FET 2.0 Amperes 500 Volts RDS(on) = 3.6 Ohm - Case 221A–06, Style 5 TO–220AB
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详细说明

这款高压MOSFET使用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力,而不会随时间降低性能。此外,这种先进的TMOS E-FET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。