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  1. 高边功率开关,集成了垂直功率 FET,提供嵌入式保护和诊断功能。
  2. Datasheet Infineon BSP752TXUMA1
    高边功率开关,集成了垂直功率 FET,提供嵌入式保护和诊断功能。
  3. 电源 60A 60V 分立式 PNP NPN 双极功率晶体管设计用于高功率放大器和开关电路应用。MJ14001 (PNP)、MJ14002* (NPN)、MJ14003* (PNP) 是互补器件。
  4. Power 60A 60V Discrete PNP The NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in high power amplifier and switching circuit applications. The MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) are complementary devices.
  1. 电源 60A 80V 分立式 PNP NPN 双极功率晶体管设计用于高功率放大器和开关电路应用。MJ14001 (PNP)、MJ14002* (NPN)、MJ14003* (PNP) 是互补器件。
  2. 电源 60A 80V 分立式 PNP NPN 双极功率晶体管设计用于高功率放大器和开关电路应用。MJ14001 (PNP)、MJ14002* (NPN)、MJ14003* (PNP) 是互补器件。
  3. 60 A、80 V NPN 双极功率晶体管 NPN 双极功率晶体管设计用于高功率放大器和开关电路应用。MJ14001 (PNP)、MJ14002* (NPN)、MJ14003* (PNP) 是互补器件。
  4. 60 A、80 V NPN 双极功率晶体管 NPN 双极功率晶体管设计用于高功率放大器和开关电路应用。MJ14001 (PNP)、MJ14002* (NPN)、MJ14003* (PNP) 是互补器件。
  5. 具有施密特触发器输入的四路 2 输入与非门 MC14093B 施密特触发器由 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件构成,采用单片结构。这些设备主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。 MC14093B 可用于代替 MC14011B 四路 2 输入与非门,以增强抗噪性或“方形”缓慢变化的波形。
  6. 具有施密特触发器输入的四路 2 输入与非门 MC14093B 施密特触发器由 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件构成,采用单片结构。这些设备主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。 MC14093B 可用于代替 MC14011B 四路 2 输入与非门,以增强抗噪性或“方形”缓慢变化的波形。
  7. 具有施密特触发器输入的四路 2 输入与非门 MC14093B 施密特触发器由 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件构成,采用单片结构。这些设备主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。 MC14093B 可用于代替 MC14011B 四路 2 输入与非门,以增强抗噪性或“方形”缓慢变化的波形。
  8. 具有施密特触发器输入的四路 2 输入与非门 MC14093B 施密特触发器由 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件构成,采用单片结构。这些设备主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。 MC14093B 可用于代替 MC14011B 四路 2 输入与非门,以增强抗噪性或“方形”缓慢变化的波形。
  9. 具有施密特触发器输入的四路 2 输入与非门 MC14093B 施密特触发器由 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件构成,采用单片结构。这些设备主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。 MC14093B 可用于代替 MC14011B 四路 2 输入与非门,以增强抗噪性或“方形”缓慢变化的波形。
  10. 具有施密特触发器输入的四路 2 输入与非门 MC14093B 施密特触发器由 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件构成,采用单片结构。这些设备主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。 MC14093B 可用于代替 MC14011B 四路 2 输入与非门,以增强抗噪性或“方形”缓慢变化的波形。
  11. 具有施密特触发器输入的四路 2 输入与非门 MC14093B 施密特触发器由 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件构成,采用单片结构。这些设备主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。 MC14093B 可用于代替 MC14011B 四路 2 输入与非门,以增强抗噪性或“方形”缓慢变化的波形。
  12. 功率MOSFET
  13. Datasheet Vishay IRL540PBF-BE
    功率MOSFET
  14. Datasheet Vishay IRL540PBF
    功率MOSFET
  15. 60V,500mA,625mW 通孔晶体管-小信号 ( =1A) PNP 低噪声
  16. Datasheet Central Semiconductor PN4250A-18
    60V,500mA,625mW 通孔晶体管-小信号 ( =1A) PNP 低噪声