Datasheets - 记忆体

小节: "记忆体"
制造商
Fujitsu
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  1. 内存ReRAM 8M(1024 K x 8)Bit SPI MB85AS8MT是一种ReRAM(电阻性随机存取存储器)芯片,其配置为1,048,576字x 8位,使用可变电阻存储工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。 位配置:8 Mbits(1,048,576字x 8位) 串行外围设备接口:SPI(串行外围设备接口)对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1) 写入缓冲区大小:256个字节 工作频率:10 MHz(最大值)
  2. 内存ReRAM 8M(1024 K x 8)Bit SPI MB85AS8MT是一种ReRAM(电阻性随机存取存储器)芯片,其配置为1,048,576字x 8位,使用可变电阻存储工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。 位配置:8 Mbits(1,048,576字x 8位) 串行外围设备接口:SPI(串行外围设备接口)对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1) 写入缓冲区大小:256个字节 工作频率:10 MHz(最大值)
  3. 内存ReRAM 8M(1024 K x 8)Bit SPI MB85AS8MT是一种ReRAM(电阻性随机存取存储器)芯片,其配置为1,048,576字x 8位,使用可变电阻存储工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。 位配置:8 Mbits(1,048,576字x 8位) 串行外围设备接口:SPI(串行外围设备接口)对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1) 写入缓冲区大小:256个字节 工作频率:10 MHz(最大值)
  4. 内存ReRAM 8M(1024 K x 8)Bit SPI MB85AS8MT是一种ReRAM(电阻性随机存取存储器)芯片,其配置为1,048,576字x 8位,使用可变电阻存储工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。 位配置:8 Mbits(1,048,576字x 8位) 串行外围设备接口:SPI(串行外围设备接口)对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1) 写入缓冲区大小:256个字节 工作频率:10 MHz(最大值)