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通用PMIC

Datasheets - 通用PMIC

小节: "通用PMIC"
制造商
Active-Semi Analog Devices AnDAPT Dialog Semiconductor MaxLinear STMicroelectronics
搜索结果: 53 输出量: 1-20

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  1. MAX16127TC+ — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16127 MAX16127TC+
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  2. MAX16127TC+T — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16127 MAX16127TC+T
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  1. MAX16127TC/V+ — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16127 MAX16127TC/V+
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  2. MAX16127TC/V+T — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16127 MAX16127TC/V+T
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  3. MAX16127 — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16127
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  4. MAX16126TCA+ — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCA+
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  5. MAX16126TCA+T — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCA+T
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  6. MAX16126TCA/V+ — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCA/V+
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  7. MAX16126TCA/V+T — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCA/V+T
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  8. MAX16126TCA/VY+ — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCA/VY+
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  9. MAX16126TCA/VY+T — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCA/VY+T
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  10. MAX16126TCB+ — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCB+
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  11. MAX16126TCB+T — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCB+T
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  12. MAX16126TCB/V+ — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCB/V+
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  13. MAX16126TCB/V+T — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCB/V+T
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  14. MAX16126TCC+ — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCC+
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  15. MAX16126TCC+T — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCC+T
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  16. MAX16126TCD+ — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCD+
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  17. MAX16126TCD+T — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126 MAX16126TCD+T
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...
  18. MAX16126 — Datasheet Analog Devices
    通用PMIC Analog Devices MAX16126
    负载突降/反向电压保护电路 保护电源输入免受汽车电压瞬变（包括负载突降）的影响 MAX16126/MAX16127 负载突降/反向电压保护电路可保护电源免受过压、反向电压和高压瞬态脉冲等有害输入电压的影响。这些器件利用内置电荷泵控制两个外部背靠背的 n 沟道 MOSFET，在有害输入电压（例如汽车负载突降脉冲或电池反接）期间，这些 MOSFET 会关闭并隔离下游电源。即使在低至 3V 的电压下，也能保证在汽车冷启动条件下正常工作。这些器件具有一个标志输出（低电平有效 ...