Datasheets - 门驱动器 - 5
小节: "门驱动器"
制造商
Analog Devices Diodes Efficient Power Conversion GaNPower International Infineon International Rectifier IXYS Linear Technology Microchip Renesas STMicroelectronics Texas Instruments TRINAMIC搜索结果: 308 输出量: 81-100
视图: 清单 / 图片
- So-8中的高侧和低侧栅极驱动器 DGD2012是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2012成为可能
- So-8中的高侧和低侧栅极驱动器 DGD2005是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2005成为可能
- DGD2003是一款高压/高速栅极驱动器，具有以下特性：
- 电隔离4 A半桥双通道栅极驱动器
1EDN7550 / 1EDN8550栅极驱动器IC具有真正的差分输入。它们的控制信号输入在很大程度上与地电位无关。仅其输入触点之间的电压差是相关的。这样可以防止功率MOSFET的误触发。
1EDN7550 / 1EDN8550栅极驱动器IC具有真正的差分输入。它们的控制信号输入在很大程度上与地电位无关。仅其输入触点之间的电压差是相关的。这样可以防止功率MOSFET的误触发。
具有低侧栅极驱动器的4.5V至20V输入，3.3V 3A同步降压SWIFT™转换器20-HTSSOP -40至125
200 V，10 A集成栅极驱动器eGaN IC
双路150 V，5 A集成栅极驱动器eGaN IC- 门驱动器 Linear Technology LTC2952
按钮控制器 Linear Technology LTC2952
主管 Linear Technology LTC2952
电源监控器IC Linear Technology LTC2952带监控器的按钮式PowerPath控制器 - 18V双路输入微功耗PowerPath优先级发生器
- 具有备用电源监控功能的18V双路输入微功耗PowerPath优先级发生器
- 双通道优先PowerPath控制器
- 优先的PowerPath控制器
- 适用于大型PFET的36V，低损耗双PowerPath控制器
- 适用于大型PFET的36V，低损耗双PowerPath控制器
- 具有可调电流限制的双路4A理想二极管
- 适用于大型PFET的36V，低损耗PowerPath控制器
- 2-采用3mm x 3mm DFN封装的双2.6A，2.5V至5.5V快速理想二极管
- 采用3mm x 3mm DFN封装的双路2.6A，2.5V至5.5V理想二极管