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1. CLP24H4S30PZ — Datasheet Ampleon
   单FET、MOSFET Ampleon CLP24H4S30P CLP24H4S30PZ
   

   射频功率GaN-SiC HEMT 30 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLP24H4S30P 设计用于驱动高功率 CW 晶体管，并采用高性能 DFN 封装。
2. CLP24H4S30PXY — Datasheet Ampleon
   单FET、MOSFET Ampleon CLP24H4S30P CLP24H4S30PXY
   

   射频功率GaN-SiC HEMT 30 W GaN-SiC HEMT 功率晶体管经过优化，具有最佳连续波 (CW) 功率和效率，适用于频率为 2400 MHz 至 2500 MHz 的烹饪、工业、科学和医疗应用。 CLP24H4S30P 设计用于驱动高功率 CW 晶体管，并采用高性能 DFN 封装。