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  1. Datasheet Vishay MMBZ5267B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  2. Datasheet Vishay MMBZ5266B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  1. Datasheet Vishay MMBZ5265B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  2. Datasheet Vishay MMBZ5264B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  3. Datasheet Vishay MMBZ5263B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  4. Datasheet Vishay MMBZ5262B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  5. Datasheet Vishay MMBZ5261B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  6. Datasheet Vishay MMBZ5260B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  7. Datasheet Vishay MMBZ5259B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  8. Datasheet Vishay MMBZ5258B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  9. Datasheet Vishay MMBZ5257B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  10. Datasheet Vishay MMBZ5256B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  11. Datasheet Vishay MMBZ5255B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  12. Datasheet Vishay MMBZ5254B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  13. Datasheet Vishay MMBZ5253B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  14. Datasheet Vishay MMBZ5252B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  15. Datasheet Vishay MMBZ5251B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  16. Datasheet Vishay MMBZ5250B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  17. Datasheet Vishay MMBZ5249B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  18. Datasheet Vishay MMBZ5248B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s