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MMBZ5267B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5267
MMBZ5267B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5266B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5266
MMBZ5266B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5265B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5265
MMBZ5265B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5264B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5264
MMBZ5264B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5263B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5263
MMBZ5263B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5262B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5262
MMBZ5262B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5261B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5261
MMBZ5261B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5260B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5260
MMBZ5260B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5259B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5259
MMBZ5259B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5258B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5258
MMBZ5258B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5257B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5257
MMBZ5257B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5256B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5256
MMBZ5256B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5255B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5255
MMBZ5255B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5254B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5254
MMBZ5254B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5253B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5253
MMBZ5253B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5252B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5252
MMBZ5252B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5251B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5251
MMBZ5251B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5250B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5250
MMBZ5250B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5249B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5249
MMBZ5249B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5248B-E3-08 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5248
MMBZ5248B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
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