Datasheets - 2

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21. MMBZ5247B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5247 MMBZ5247B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
22. MMBZ5246B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5246 MMBZ5246B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s

23. MMBZ5245B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5245 MMBZ5245B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
24. MMBZ5244B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5244 MMBZ5244B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
25. MMBZ5243B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5243 MMBZ5243B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
26. MMBZ5242B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5242 MMBZ5242B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
27. MMBZ5225B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5225 MMBZ5225B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
28. MMBZ5226B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5226 MMBZ5226B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
29. MMBZ5227B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5227 MMBZ5227B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
30. MMBZ5228B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5228 MMBZ5228B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
31. MMBZ5229B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5229 MMBZ5229B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
32. MMBZ5230B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5230 MMBZ5230B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
33. MMBZ5231B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5231 MMBZ5231B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s