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  1. Datasheet Multicomp 2N4033
    通用PNP晶体管 集电极发射极电压V(br)ceo:80 V 集电极发射极电压Vces:-150 mV 连续集电极电流Ic Max:1 A 电流Ic连续最大值:1 A 直流集电极电流:1 A 直流电流增益最小值:100 直流电流增益:100 mA 增益带宽ft最小值:150 MHz 增益带宽ft典型值:150 MHz 安装类型:通孔 针数:3 包装/箱:TO-39 功耗Pd:800 mW 功耗最大功率:800 mW 晶体管外壳样式:TO-39 晶体管极性:PNP 电压Vcbo:80 V
  2. Datasheet STMicroelectronics 2N3019
    硅平面外延NPN晶体管
  1. Datasheet NTE Electronics NTE129
    PNP小信号双极晶体管 集电极发射极电压V(br)ceo:80 V 直流集电极电流:-1 A 直流最大电流(hfe):300 工作温度范围:-65°C至+ 200°C 功耗Pd:7 W 晶体管极性:PNP RoHS:是的
  2. Datasheet NTE Electronics NTE128
    NPN小信号双极晶体管 集电极发射极电压V(br)ceo:80 V 直流集电极电流:1 A 直流电流最小增益:15 直流电流增益:300 增益带宽ft典型值:400 MHz 针数:3 工作温度范围:-65°C至+ 200°C 包装/箱:TO-39 功耗Pd:800 mW SVHC:否SVHC(2010年12月15日) 晶体管外壳样式:TO-39 晶体管极性:NPN RoHS:是的