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- PNP中功率晶体管，采用TO-92封装 规格： 集电极发射极电压V（br）ceo：80 V 集电极发射极电压Vces：250 mV 连续集电极电流Ic Max：1 A 电流Ic连续最大值：1 A 直流集电极电流：1 A 直流电流增益最小值：25 直流电流增益：1 A 增益带宽ft典型值：50 MHz 安装类型：通孔 针数：3 包装/箱：TO-92 功耗Pd：900 mW 功耗最大功率：900 mW SVHC：否SVHC（2010年12月15日） 晶体管外壳样式：TO-92 晶体管极性：PNP ...
- N通道射频放大器 特征： 该设备设计用于VHF / UHF放大器 源自过程50
- 通用晶体管 规格： 集电极发射极电压V（br）ceo：45 V 集电极发射极电压Vces：-300 mV 连续集电极电流Ic Max：100 mA 电流Ic连续最大值：100 mA 直流集电极电流：100 mA 直流最大电流增益：800 直流电流最小增益：125 直流电流增益：2 mA 设备标记：BC557 增益带宽ft最小值：100 MHz 增益带宽ft典型值：100 MHz 安装类型：通孔 针数：3 晶体管数量：1 工作温度范围：-65°C至+ 150°C 包装/箱：SOT-54 ...
- NPN通用晶体管 RoHS：是的 集电极发射极电压V（br）ceo：45 V 集电极发射极电压Vces：600 mV 连续集电极电流Ic Max：100 mA 电流Ic连续最大：100 mA 直流集电极电流：100 mA 直流电流增益最小值：200 直流电流增益：2 mA 增益带宽ft最小值：200 MHz 增益带宽ft典型值：300 MHz 安装类型：通孔 针数：3 晶体管数量：1 工作温度范围：-65°C至+ 150°C 包装/箱：TO-92 引脚配置：d 耗散功率Pd：625 mW ...
- NPN外延硅晶体管，TO-92
- NPN外延硅晶体管，TO-92
- NPN外延硅晶体管，TO-92
- NPN外延硅晶体管，TO-92
- NPN外延硅晶体管，TO-92
- 通用晶体管NPN TO-92 RoHS：是的 集电极发射极电压V（br）ceo：40 V 集电极发射极电压Vces：200 mV 连续集电极电流Ic Max：200 mA 电流Ic @ Vce Sat：10 mA 电流Ic连续最大值：200 mA 电流Ic下降时间测量：10 mA 直流集电极电流：200 mA 直流电流增益最小值：100 直流电流增益：10 mA Ic的下降时间：250 ns 满功率额定温度：25°C 增益带宽ft最小值：300 MHz 增益带宽ft典型值：300 MHz ...
- NPN晶体管，TO-92 RoHS：是的 集电极发射极电压V（br）ceo：40 V 集电极发射极电压Vces：200 mV 连续集电极电流Ic Max：200 mA 电流Ic @ Vce Sat：10 mA 电流Ic连续最大值：200 mA 电流Ic下降时间测量：10 mA 直流集电极电流：200 mA 直流电流增益最小值：100 直流电流增益：10 mA Ic的下降时间：250 ns 满功率额定温度：25°C 增益带宽ft最小值：300 MHz 安装类型：通孔 针数：3 晶体管数量：1 ...
- NPN晶体管，TO-92 RoHS：是的 集电极发射极电压V（br）ceo：40 V 集电极发射极电压Vces：200 mV 连续集电极电流Ic Max：200 mA 电流Ic @ Vce Sat：10 mA 电流Ic连续最大值：200 mA 电流Ic下降时间测量：10 mA 直流集电极电流：200 mA 直流电流增益最小值：100 直流电流增益：10 mA Ic的下降时间：250 ns 满功率额定温度：25°C 增益带宽ft最小值：300 MHz 安装类型：通孔 针数：3 晶体管数量：1 ...
- 适用于TO-92塑料封装的通用开关和放大器应用的PNP硅平面开关晶体管 RoHS：是的 集电极发射极电压V（br）ceo：40 V 集电极发射极电压Vces：250 mV 连续集电极电流Ic Max：200 mA 电流Ic @ Vce Sat：10 mA 电流Ic连续最大值：200 mA 电流Ic下降时间测量：10 mA 直流集电极电流：200 mA 直流电流增益最小值：100 直流电流增益：1 mA Ic的下降时间：75 ns 满功率额定温度：25°C 增益带宽ft最小值：250 MHz ...