Datasheets - 肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor - 3

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41. MBR340RLG — Datasheet ON Semiconductor
    二极管-单整流器 ON Semiconductor MBR340 MBR340RLG
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBR340
    肖特基势垒整流器，40 V，3.0 A 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。肖特基整流器的最先进的几何结构具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。它非常适用于低电压、高频整流，或在紧凑尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。
42. MBRS330PT3G — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS330P MBRS330PT3G
    肖特基功率整流器，表面贴装，3.0 A，40 V 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。肖特基整流器的最先进的几何结构具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。它非常适用于低电压、高频整流，或在紧凑尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。

43. MBRS330P — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS330P
    肖特基功率整流器，表面贴装，3.0 A，30 V 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。肖特基整流器的最先进的几何结构具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。它非常适用于低电压、高频整流，或在紧凑尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。
44. MBRS340P — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS340P
    肖特基功率整流器，表面贴装，3.0 A，40 V 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。肖特基整流器的最先进的几何结构具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。它非常适用于低电压、高频整流，或在紧凑尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。
45. MBRS320P — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS320P
    1.0 A、20 V、肖特基功率整流器，表面贴装 肖特基 Powermite 采用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生最佳的正向压降-反向电流折衷。先进的封装技术提供了一种高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热器设计，Powermite 具有与 SMA 相同的热性能，同时占用面积减少 50%，并提供业界最低的高度轮廓之一， 1.1 mm。由于其体积小，它非常适合用于便携式和电池供电的产品，例如蜂窝和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA ...
46. MBRS320PT3G — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS320P MBRS320PT3G
    肖特基功率整流器，表面贴装，3.0 A，40 V 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。肖特基整流器的最先进的几何结构具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。它非常适用于低电压、高频整流，或在紧凑尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。
47. MBRS340PT3G — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS340P MBRS340PT3G
    肖特基功率整流器，表面贴装，3.0 A，40 V 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。肖特基整流器的最先进的几何结构具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。它非常适用于低电压、高频整流，或在紧凑尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。
48. MBRS2040LT3G — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS2040L MBRS2040LT3G
    肖特基功率整流器，表面贴装，2.0 A，40 V 肖特基整流器在金属硅电源整流器中采用肖特基势垒原理。它具有带氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。肖特基整流器非常适用于低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
49. NRVBS2040LT3G — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS2040L NRVBS2040LT3G
    肖特基功率整流器，表面贴装，2.0 A，40 V 肖特基整流器在金属硅电源整流器中采用肖特基势垒原理。它具有带氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。肖特基整流器非常适用于低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
50. NRVBS2040LNT3G — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS2040L NRVBS2040LNT3G
    肖特基功率整流器，表面贴装，2.0 A，40 V 肖特基整流器在金属硅电源整流器中采用肖特基势垒原理。它具有带氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。肖特基整流器非常适用于低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
51. MBRS2040LT3 — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS2040L MBRS2040LT3
    肖特基功率整流器，表面贴装，2.0 A，40 V 肖特基整流器在金属硅电源整流器中采用肖特基势垒原理。它具有带氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。肖特基整流器非常适用于低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
52. MBRM120LT1G — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRM120L MBRM120LT1G
    1.0 A、20 V、肖特基功率整流器，表面贴装 肖特基 Powermite 采用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生最佳的正向压降-反向电流折衷。先进的封装技术提供了一种高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热器设计，Powermite 具有与 SMA 相同的热性能，同时占用面积减少 50%，并提供业界最低的高度轮廓之一， 1.1 mm。由于其体积小，它非常适合用于便携式和电池供电的产品，例如蜂窝和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA ...
53. MBRM120LT1 — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRM120L MBRM120LT1
    1.0 A、20 V、肖特基功率整流器，表面贴装 肖特基 Powermite 采用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生最佳的正向压降-反向电流折衷。先进的封装技术提供了一种高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热器设计，Powermite 具有与 SMA 相同的热性能，同时占用面积减少 50%，并提供业界最低的高度轮廓之一， 1.1 mm。由于其体积小，它非常适合用于便携式和电池供电的产品，例如蜂窝和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA ...
54. MBRM120LT3G — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRM120L MBRM120LT3G
    1.0 A、20 V、肖特基功率整流器，表面贴装 肖特基 Powermite 采用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生最佳的正向压降-反向电流折衷。先进的封装技术提供了一种高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热器设计，Powermite 具有与 SMA 相同的热性能，同时占用面积减少 50%，并提供业界最低的高度轮廓之一， 1.1 mm。由于其体积小，它非常适合用于便携式和电池供电的产品，例如蜂窝和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA ...
55. MBRM120LT3 — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRM120L MBRM120LT3
    1.0 A、20 V、肖特基功率整流器，表面贴装 肖特基 Powermite 采用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生最佳的正向压降-反向电流折衷。先进的封装技术提供了一种高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热器设计，Powermite 具有与 SMA 相同的热性能，同时占用面积减少 50%，并提供业界最低的高度轮廓之一， 1.1 mm。由于其体积小，它非常适合用于便携式和电池供电的产品，例如蜂窝和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA ...
56. SBRS8130LNT3G — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor SBRS8130LN SBRS8130LNT3G
    1.0 A、30 V、肖特基功率整流器，表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。它非常适用于低压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和极性保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
57. SBRS8130LN — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor SBRS8130LN
    1.0 A、30 V、肖特基功率整流器，表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。它非常适用于低压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和极性保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
58. MBRS130LT3G — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS130LT3G
    1.0 A、30 V、肖特基功率整流器，表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。它非常适用于低压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和极性保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
59. SBRS8130LT3G — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS130LT3G SBRS8130LT3G
    1.0 A、30 V、肖特基功率整流器，表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。它非常适用于低压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和极性保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
60. MBRS130LT3 — Datasheet ON Semiconductor
    肖特基二极管与整流器 ON Semiconductor MBRS130LT3G MBRS130LT3
    1.0 A、30 V、肖特基功率整流器，表面贴装 肖特基整流器在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。肖特基整流器最先进的几何结构采用具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。它非常适用于低压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和极性保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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