Datasheet JX3S0020120M (JX Semiconductor) - 5
| 制造商 | JX Semiconductor |
| 描述 | 1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package |
| 页数 / 页 | 10 / 5 — JX3S0040R120MC. 导通电阻. 转移特性. On-Resistance. Transfer Characteristics. … |
| 文件格式/大小 | PDF / 813 Kb |
| 文件语言 | 英语 |
JX3S0040R120MC. 导通电阻. 转移特性. On-Resistance. Transfer Characteristics. RDS(on)=f(TJ), IDS=40A. IDS=f(VGS), VDS=20V. 体二极管特性
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JX3S0040R120MC 导通电阻 转移特性 On-Resistance Transfer Characteristics RDS(on)=f(TJ), IDS=40A IDS=f(VGS), VDS=20V 体二极管特性 体二极管特性 Body Diode Characteristics Body Diode Characteristics IDS=f(VDS), TJ=25
℃
IDS=f(VDS), TJ=150
℃ Document Outline 特点 Features
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IDS=f(VDS), TJ=150
℃ Document Outline 特点 Features