Datasheet JX Semiconductor JX3S0040R120MC — 数据表
| 制造商 | JX Semiconductor |
| 系列 | JX3S0040R120MC |
| 零件号 | JX3S0040R120MC |

1200V、40Ω、碳化硅 MOSFET,采用 TO-247-3L 封装
数据表
Datasheet JX3S0020120M
PDF, 813 Kb, 语言: en, 文件上传: Oct 11, 2026, 页数: 10
1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package
1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package
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详细说明
JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装,可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行,从而实现紧凑设计并降低 EMI。
制造商分类
- Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor