Datasheet Analog Devices LTC7893AUFDM#TRPBF — 数据表

制造商Analog Devices
系列LTC7893
零件号LTC7893AUFDM#TRPBF
Datasheet Analog Devices LTC7893AUFDM#TRPBF

100V 低 I<sub> Q </sub> 同步升压控制器,适用于采用 28 引脚 QFN 封装(4mm x 5mm,塑料面可润湿)的 GaN FET。

数据表

Datasheet LTC7893
PDF, 1.5 Mb, 语言: en, 文件上传: Apr 12, 2026, 页数: 48
100V Low IQ, Synchronous Boost Controller for GaN FETs in 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) package
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详细说明

LTC7893 是一款高性能升压型直流-直流开关稳压器控制器,可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级,输出电压最高可达 100V。LTC7893 解决了传统使用 GaN FET 时面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比,LTC7893 简化了应用设计,无需保护二极管和其他额外的外部元件。

内部智能自举开关可防止死区期间 BOOST 引脚对 SW 引脚高侧驱动电源过充电,从而保护顶部 GaN FET 的栅极。LTC7893 的死区时间可通过外部电阻进行优化,以获得裕量或根据应用需求定制,从而提高效率并支持高频运行。

LTC7893 的栅极驱动电压可在 4V 至 5.5V 范围内精确调节,以优化性能,并允许使用不同的 GaN FET,甚至逻辑电平 MOSFET。当由升压转换器稳压器的输出偏置时,LTC7893 在启动后可采用低至 1V 的输入电源电压工作。

模型线

制造商分类

  • Power Management > Switching Regulators & Controllers

其他名称:

LTC7893AUFDMTRPBF, LTC7893AUFDM TRPBF